[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供底电极基板，在所述底电极基板的底电极表面形成第一纳米柱结构；在所述第一纳米柱结构表面结合含有初始配体的量子点，采用目标配体对所述表面结合有初始配体的量子点进行配体交换，制备得到结合有目标配体的量子点薄膜。本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，可以得到兼具良好的分散性和电荷注入传输能力的量子点薄膜。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点电致发光器件(QLED)因其低启亮电压、窄发光峰、发光波长可调等优势，展示出了巨大的应用潜力。QLED采用三明治结构，包括阳极和阴极，以及在阳极和阴极之间设置的量子点发光层。目前，QLED通常包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。其中，量子点发光层的制备尤其重要。

在现有的QLED中，电子和空穴由注入层提供，经过传输层，最后在量子点发光层进行复合发光。典型的量子点结构，由核、外壳(单层或多层)、链状配体构成，电子和空穴最终在量子点核内进行复合发光。由于量子点容易发生团聚现象，因此，目前采的长链配体来有效防止量子点聚集沉降。但也因为长链配体链长较长，导致量子点的电荷注入能力和传输能力仍然有待提高。而短链配体可有效提高电子和空穴的注入和传输能力，但容易导致量子点聚集沉降。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决量子点难以兼顾良好的分散性和电荷注入传输能力的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明第一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供底电极基板，在所述底电极基板的底电极表面形成第一纳米柱结构；

在所述第一纳米柱结构表面结合含有初始配体的量子点，提供目标配体与所述量子点表面的初始配体进行交换，制备得到结合有目标配体的量子点薄膜；

其中，量子点的直径标记为d，相邻的第一纳米柱之间的间距标记为l₁，第一纳米柱的高度标记为h，第一纳米柱的最大径向尺寸标记为s₁，相邻的三个所述第一纳米柱的共同外接圆的半径标记为r₁。

本发明第二方面提供一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点薄膜，其中，所述阳极或所述阴极的表面设置第一纳米柱结构，且所述量子点薄膜与所述第一纳米柱结构接触的表面与所述第一纳米柱结构互补，所述量子点薄膜的另一表面为平整表面；其中，将量子点的直径标记为d，相邻的第一纳米柱之间的间距标记为l₁，第一纳米柱的高度标记为h，第一纳米柱的最大径向尺寸标记为s₁，相邻的三个所述第一纳米柱的共同外接圆的半径标记为r₁。

本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，先在底电极基板的底电极表面形成第一纳米柱结构；然后在所述第一纳米柱结构表面结合含有初始配体的量子点，结合有初始配体的量子点进入第一纳米柱结构的孔隙中，通过控制第一纳米柱结构之间的间距宽度和纳米柱的尺寸，使得至少量子点能够以单颗粒的形式排列，可以减少量子点聚集沉降，提高了量子点的分散性能和稳定性；最后，采用目标配体对表面结合有初始配体的量子点进行配体交换，在量子点表面结合能够提高电荷注入能力和传输能力的目标配体，最终得到能够兼具良好的分散性和电荷注入传输能力的量子点薄膜。此外，该方法操作简单，成本低廉。