[发明专利]一种表面污染应急辐射探测模拟系统

权利要求书

1.一种表面污染应急辐射探测模拟系统，其特征在于，包括上位机、模拟探测器和模拟污染源；

所述模拟污染源，用于对真实环境下的污染源的多种测量状态进行输入模拟；

所述模拟探测器，用于对所述模拟污染源的测量物理量进行采集，并分析处理，且将分析处理结果发送至上位机；

所述上位机，用于存储所述分析处理结果和对所述模拟探测器的编辑控制。

2.根据权利要求1所述的探测模拟系统，其特征在于，所述模拟探测器包括传感器、控制器和LCD显示器，所述模拟污染源的输出端与所述传感器的输入端电连接，所述传感器与所述控制器双向连接，所述控制器与所述上位机双向连接，所述控制器的输出端与所述LCD显示器的输入端电连接；

所述传感器，用于对所述模拟污染源的测量物理量进行采集，并发送给所述控制器；

所述控制器，用于对所述模拟污染源的测量物理量进行分析处理，得到分析处理结果，且将所述分析处理结果分别传输给上位机和LCD显示器；

所述LCD显示器，用于显示所述分析处理结果。

3.根据权利要求1所述的探测模拟系统，其特征在于，所述模拟污染源为磁场模拟电路或者光强模拟电路。

4.根据权利要求3所述的探测模拟系统，其特征在于，所述磁场模拟电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、交流电磁铁、第一光电耦合器、第二光电耦合器、第一晶闸管、第二晶闸管、可调电位器和第一触发开关，所述第一光电耦合器包括第四电阻、第一氖管和第二氖管，所述第二光电耦合器包括第五电阻和第三氖管；

所述第一电阻的一端与所述第一触发开关的ON端连接，另一端与所述第一氖管的一端连接，所述第一氖管的另一端连接供电电源，所述第四电阻的一端连接供电电源，另一端分别与第一晶闸管的第一端和第二晶闸管的第二端连接，所述第一晶闸管的第二端通过交流电磁铁与所述可调电位器的一端连接，所述可调电位器的另一端连接供电电源，所述第二氖管的一端通过第二电阻与所述可调电位器和所述交流电磁铁的公共端连接，所述第二氖管的另一端与所述第一晶闸管和所述交流电磁铁的公共端连接，所述第一晶闸管的第一端连接供电电源；

所述第二晶闸管的第一端接供电电源以及与第五电阻的一端连接，第五电阻的另一端接供电电源，所述第三氖管的一端接供电电源，另一端通过第三电阻连接所述第一触发开关的OFF端。

5.根据权利要求2所述的探测模拟系统，其特征在于，所述光强模拟电路包括第一芯片、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电解电容、第二电解电容、第三电容、第四电容、第二芯片、三极管、光电二极管和第二触发开关；

所述第一芯片的引脚Vin接VCC和第一电解电容的阳极连接，所述第一电解电容的阴极接地，所述第一芯片的引脚ADJ通过第七电阻接地，所述第七电阻为可调电阻，第一芯片的引脚ADJ还通过第六电阻与第一芯片的引脚Vout连接；

第一芯片的引脚Vout通过第八电阻连接第二芯片的引脚OSC，第二芯片的引脚VC通过第四电容接地，所述第二芯片的引脚VDD分别通过第二电解电容和第三电容接地，所述第二芯片的引脚VDD还通过第十电阻与发光二极管的阳极连接，所述发光二极管的阴极与三极管的集电极连接，所述三极管的基极通过第九电阻与所述第二芯片的引脚SO连接，所述三极管的发射极接地，所述第二芯片的引脚GND接地，所述第二芯片的引脚OPT1和引脚OPT2接地，所述第二芯片的引脚TI与第二触发开关连接。

6.根据权利要求5所述的探测模拟系统，其特征在于，所述第一芯片的型号为LM317，所述第二芯片的型号为SGL8022W。