[发明专利]晶圆表面金属合金化处理方法有效
| 申请号： | 201911398469.4 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128873B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 宁润涛;黄康荣;孟令成;黄伟 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 金属 合金 处理 方法 | ||
1.一种晶圆表面金属合金化处理方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，并在晶圆上形成金属层，所述金属层为金属层钛/氮化钛/铝铜合金的堆叠金属层；
进行第一次合金化退火处理；
形成钝化层，所述钝化层覆盖晶圆和部分金属层；以及，
进行第二次合金化退火处理；
所述第一次合金化退火处理的工艺参数包括：退火温度为300℃至500℃，保护气体为氮气和氢气的混合气体，其中氮气与氢气的体积比为40:1至2:1，退火时间为150min至210min；
所述第二次合金化退火处理的工艺参数包括：退火温度为300℃至500℃，保护气体为氮气和氢气的混合气体，其中氮气与氢气的体积比为10:1至2:1，退火时间为30min至90min。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面金属合金化处理方法，其特征在于，所述晶圆包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的器件以及形成于所述半导体衬底上且覆盖所述器件的介电层。
3.根据权利要求2所述的晶圆表面金属合金化处理方法，其特征在于，所述金属层的形成方法包括：
在所述介电层表面形成金属材料层；以及，
刻蚀所述金属材料层，暴露出部分所述介电层，以形成所述金属层。
4.根据权利要求3所述的晶圆表面金属合金化处理方法，其特征在于，所述钝化层的形成方法包括：
在所述介电层和所述金属层上形成钝化材料层；以及，
刻蚀所述钝化材料层，暴露出部分所述金属层，以形成所述钝化层。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶圆表面金属合金化处理方法，其特征在于，所述钝化层包括氮化物、氧化物或氮氧化物中至少一种。
6.根据权利要求5所述的晶圆表面金属合金化处理方法，其特征在于，所述钝化层的厚度大于10nm。
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