[发明专利]一种无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法

权利要求书

1.一种无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将导电氧化物薄膜的拉曼信号中LO峰占比ξ_LO、AM峰占比ξ_AM、E²_high峰占比ξ_E分别与导电氧化物薄膜的电学参数载流子Ne、迁移率μ、电导率σ进行线性拟合得出如下关系式；

以LO峰信号：

Ne＝(-8.45×ξ_LO+6.03)×10²⁰ R²＝0.82 (2-1)

μ＝-37.32×ξ_LO+29.82 R²＝0.56 (2-2)

σ＝-3867.07×ξ_LO+2232.92 R²＝0.71 (2-3)

以AM峰信号：

Ne＝(10.98×ξ_AM-1.83)×10²⁰ R²＝0.78 (3-1)

μ＝50.40×ξ_AM-5.71 R²＝0.58 (3-2)

σ＝5144.18×ξ_AM-1403.23 R²＝0.70 (3-3)

以E²_high峰信号：

Ne＝(18.34×ξ_E-0.92)×10²⁰ R²＝0.50 (4-1)

μ＝74.31×ξ_E+0.95 R²＝0.26 (4-2)

σ＝8287.30×ξ_E-872.30 R²＝0.39 (4-3)；

(2)将待测导电氧化物薄膜的拉曼信号中LO峰占比ξ_LO、AM峰占比ξ_AM、E²_high峰占比ξ_E分别代入上式即可间接无损地检测得到待测导电氧化物薄膜的载流子Ne、迁移率μ、电导率σ；

所述的导电氧化物薄膜的拉曼信号中LO峰占比ξ_LO、AM峰占比ξ_AM、E²_high峰占比ξ_E的测定方法如下：

测定导电氧化物薄膜波数段为300～800cm^-1的拉曼光谱，对得到的拉曼光谱背底扣除，再分峰拟合分别得到LO峰、AM峰和E²_high峰的峰位、峰宽和峰强，其中各峰的峰强表示为I_LO、I_AM、I_E，最后利用下式即可计算得到：

ξ_LO＝I_LO/(I_LO+I_AM+I_E) (1-1)

ξ_AM＝I_AM/(I_LO+I_AM+I_E) (1-2)

ξ_E＝I_E/(I_LO+I_AM+I_E) (1-3)。

2.如权利要求1所述的无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法，其特征在于，所述的导电氧化物薄膜采用通过射频与直流电源耦合的磁控溅射方法制备得到。

3.如权利要求1所述的无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法，其特征在于，所述的导电氧化物薄膜为掺镓氧化锌薄膜Ga:ZnO。