[发明专利]充电桩上位机多功能控制系统

权利要求书

1.一种充电桩上位机多功能控制系统，它包括i.MX6UL核心板、以及与i.MX6UL核心板分别连接的电源保护电路、通讯电路、语音报警电路、摄像接口电路和LCD显示电路，其特征是所述通讯电路包含CAN通讯电路、232通讯电路以及以太网通讯电路；

所述i.MX6UL核心板包括处理芯片CON1及处理芯片CON2；

所述电源保护电路外接5V输入电源，它包括DC005电源插座、保险丝F1、二极管D1、拨码开关SW3、整流二极管DZ1、三极管Q4、PMOS管T1、LDO芯片U1、LDO芯片U11、PMOS管T2、PMOS管T5、PMOS管T7、NMOS管Q2、发光二极管LED5、发光二极管LED6、电阻R3、电阻R8、电阻R9、电阻R10、由电阻R11、电阻R12及电阻R13构成的排阻、电阻R31、电阻R35、电阻R36、电阻R39、电阻R40、电阻R41、电容C2、电容C14、电容C57、电容C85、电容C95、电容C96、磁珠FB6；

所述DC005插座与外部5V输入电源连接，所述DC005插座负极接地，所述保险丝F1一端与电源插座DC005正极串联，所述二极管D1与电源插座DC005反向并联，二极管D1正极接地，二级管D1负极与保险丝F1的另一端连接；所述二极管D1的负极还与由电阻R11、电阻R12及电阻R13构成的排阻一端、三极管Q4的发射极和PMOS管T1的源极连接；所述由电阻R11、电阻R12及电阻R13构成的排阻的另一端与整流二极管DZ1的负极、电阻R9的一端连接，所述电阻R9的另一端与三极管Q4的基极连接，所述整流二极管DZ1的正极接地，所述整流二极管DZ1的负极还与拨码开关SW3的COM引脚连接，所述拨码开关SW3的3/4/5编码引脚接地，所述PMOS管T1的栅极通过电容C1与其源极连接、PMOS管T1的栅极通过电阻R8接地，PMOS管T1的栅极还与所述三极管Q4的集电极连接；所述PMOS管T1漏极通过电容C2接地，PMOS管T1漏极处输出VDD_5V电源电压并与核心板处理芯片CON1的5V电源引脚VSYS连接，PMOS管T1漏极还分别与PMOS管T7的源极及LDO芯片U1的输入引脚IN连接；所述PMOS管T7栅极与所述PMOS管T7源极间连接有并联的电阻R39和电容C14，PMOS管T7漏极处可输出GEN_5V电源电压，PMOS管T7漏极还通过并联的电阻R31及电容C57接地；所述LDO芯片U1的调节引脚ADJ接地，LDO芯片U1的输出引脚OUT输出VDD_3V3电源电压，LDO芯片U1的输出引脚OUT一边通过电容C85接地，一边与PMOS管T2源极连接，PMOS管T2源极还通过串联的电阻R10及发光二极管LED5接地，所述电阻R10及发光二极管LED5上还并联有电阻R40，所述PMOS管T2栅极分别和PMOS管T7栅极、NMOS管Q2漏极连接，所述NMOS管Q2的栅极通过电阻R36与核心板处理芯片CON1的PMIC_ON_REQ引脚连接，NMOS管Q2栅极还通过电阻R35接地，NMOS管Q2源极接地；所述PMOS管T2漏极与PMOS管T5的源极连接，所述PMOS管T5源极和PMOS管T5漏极间连接有磁珠FB6，PMOS管T5源极输出电源电压GEN_3V3，PMOS管T5漏极输出电源电压VPERI_3V3，PMOS管T5栅极与核心板处理芯片CON1的PERI_PWREN引脚连接，PMOS管T5栅极还通过电阻R41接地，所述PMOS管T5漏极通过电容C95接地，PMOS管T5漏极同时还与LDO芯片U11的VIN引脚及EN引脚连接，所述LDO芯片U11的VOUT引脚通过电容C96及与电容C96并联的电阻R3、发光二极管LED6接地，VOUT引脚与核心板处理芯片CON2的NVCC_CSI_IN连接。