[发明专利]AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种AlGaInP基发光二极管芯片，所述AlGaInP基发光二极管芯片包括衬底，设置在所述衬底的一面上的N型电极，以及依次层叠设置在所述衬底的另一面上的N型缓冲层、反射层、N型限制层、有源层、P型缓冲层、P型限制层、P型电流扩展层、ITO透明导电层和P型电极，其特征在于，

所述ITO透明导电层包括设置在所述P型电流扩展层上的第一子层和设置在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层的功函数大于所述第二子层的功函数，所述ITO透明导电层的载流子浓度沿所述ITO透明导电层的垂直生长方向逐渐升高；

所述P型电流扩展层为P型GaP层，所述P型电流扩展层的厚度为80~100nm；

所述P型电流扩展层在所述P型限制层上的正投影位于所述P型电极在所述P型限制层上的正投影之外；

所述AlGaInP基发光二极管芯片还包括设置在所述P型限制层和所述ITO透明导电层之间的P型粗化层，所述P型粗化层为P型AlGaInP层，所述P型粗化层的远离所述P型限制层的一面形成粗化结构；

所述粗化结构、所述P型电流扩展层和所述P型电极在所述P型限制层上的正投影互不重叠。

2.根据权利要求1所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述P型电流扩展层在所述P型限制层上的正投影为第一图形，所述粗化结构在所述P型限制层上的正投影为多个第二图形，所述多个第二图形围绕所述第一图形间隔分布。

3.根据权利要求1所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述粗化结构的高度为0.3~1um。

4.根据权利要求1所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述P型粗化层中的Mg的掺杂浓度为5E18~5E19/cm³。

5.根据权利要求1所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述P型电流扩展层中的Mg的掺杂浓度为5E19~2E20/cm³。

6.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在衬底上依次形成N型缓冲层、反射层、N型限制层、有源层、P型缓冲层、P型限制层；

在所述P型限制层上形成P型电流扩展层，所述P型电流扩展层为P型GaP层，所述P型电流扩展层的厚度为80~100nm；

在所述P型电流扩展层上形成ITO透明导电层，所述ITO透明导电层包括设置在所述P型电流扩展层上的第一子层和设置在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层的功函数大于所述第二子层，所述ITO透明导电层的载流子浓度沿所述ITO透明导电层的垂直生长方向逐渐升高；

在所述ITO透明导电层上设置P型电极；

在所述衬底的远离所述N型缓冲层的一面上设置N型电极；

所述P型电流扩展层在所述P型限制层上的正投影位于所述P型电极在所述P型限制层上的正投影之外；

所述制造方法还包括：

在所述P型限制层上形成P型电流扩展层之前，在所述P型限制层上生长P型粗化层，所述P型粗化层为P型AlGaInP层；

在P型粗化层上生长所述P型电流扩展层；

对所述P型电流扩展层和所述P型粗化层进行湿法刻蚀，去除部分所述P型电流扩展层，并在所述P型粗化层的远离所述P型限制层的一面上形成粗化结构，所述粗化结构、所述P型电流扩展层和所述P型电极在所述P型限制层上的正投影互不重叠。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在所述P型电流扩展层上形成ITO透明导电层，包括：

向反应室内输送高气流量的氧气，以在所述P型电流扩展层上预先沉积所述第一子层；

逐渐降低向反应室内输送的氧气的气流量，在所述第一子层上生长所述第二子层。