[发明专利]一种芯片老化自测试方法及系统在审

专利信息
申请号: 201911376387.X 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN113049939A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 卜金彪;王占粮;王生鹏;蔡斌;肖青;闫朋飞;孙东昱;姜琨;何晓 申请(专利权)人: 中移物联网有限公司;中国移动通信集团有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;胡影
地址: 401121 重庆市*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 老化 测试 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种芯片老化自测试方法,其特征在于,包括:

在上电状态下,读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记;

从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序;

执行所述目标测试程序,并获取测试结果数据;

存储所述测试结果数据。

2.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法,其特征在于,还包括:

在执行所述目标测试程序时,获取测试状态;

生成与所述测试状态对应的状态指示灯显示指令;

将所述状态指示灯显示指令发送给与所述芯片连接的测试装置,所述测试装置包括状态指示灯,所述测试装置能够根据所述指示灯显示指令控制所述状态指示灯显示,其中,在不同的测试状态下控制所述状态指示灯处于不同的显示状态。

3.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法,其特征在于,还包括:

若所述目标测试程序在测试过程中中断,再次执行所述目标测试程序时,根据存储的所述测试结果数据的数量以及位置计算出中断时刻的测试状态,并在所述中断时刻的测试状态的基础上继续进行所述目标老化测试项目的测试。

4.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法,其特征在于,所述测试结果数据存储在所述非易失性存储器的用户配置区域。

5.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法,其特征在于,所述目标老化测试项目为非易失性存储器擦写寿命测试。

6.一种芯片老化自测试系统,其特征在于,包括:

标记获取模块,用于在上电状态下,读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记;

程序获取模块,用于从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序;

执行模块,用于执行所述目标测试程序,并获取测试结果数据;

存储模块,用于存储所述测试结果数据。

7.根据权利要求6所述的芯片老化自测试系统,其特征在于,还包括:

测试状态获取模块,用于在执行所述目标测试程序时,获取测试状态;

指令生成模块,用于生成与所述测试状态对应的状态指示灯显示指令;

发送模块,用于将所述状态指示灯显示指令发送给与所述芯片连接的测试装置,所述测试装置包括状态指示灯,所述测试装置能够根据所述指示灯显示指令控制所述状态指示灯显示,其中,在不同的测试状态下控制所述状态指示灯处于不同的显示状态。

8.根据权利要求6所述的芯片老化自测试系统,其特征在于,还包括:

中断恢复模块,用于若所述目标测试程序在测试过程中中断,再次执行所述目标测试程序时,根据存储的所述测试结果数据的数量以及位置计算出中断时刻的测试状态,并在所述中断时刻的测试状态的基础上继续进行所述目标老化测试项目的测试。

9.根据权利要求6所述的芯片老化自测试系统,其特征在于,所述测试结果数据存储在所述非易失性存储器的用户配置区域。

10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5中任一项所述的芯片老化自测试方法中的步骤。

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