[发明专利]NORD闪存的制造方法

权利要求书

1.一种NORD闪存的制造方法，其特征在于，包括步骤：

步骤一、完成多晶硅字线的端头切断之前的工艺，包括：采用多重侧墙自对准工艺形成NORD闪存的多晶硅浮栅、多晶硅控制栅和所述多晶硅字线；

所述NORD闪存的存储单元区包括多个存储单元，在剖面结构上，各所述存储单元的栅极结构包括：第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构；

所述第一栅极结构由形成于半导体衬底表面的第一栅氧化层、所述多晶硅浮栅、多晶硅间介质层和多晶硅控制栅叠加而成；所述多晶硅间介质层中包含氮化硅层；

所述第二栅极结构由形成于半导体衬底表面的第二栅氧化层和所述多晶硅字线组成；

所述第三栅极结构由形成于半导体衬底表面的所述第一栅氧化层、所述多晶硅浮栅、所述多晶硅间介质层和多晶硅控制栅叠加而成；

所述第一栅极结构和所述第三栅极结构位于由自对准的所述第二栅极结构两侧；

所述第二栅极结构的所述多晶硅字线和两侧的所述多晶硅浮栅之间分别隔离有所述第二栅氧化层；所述第二栅极结构的所述多晶硅字线和两侧的所述多晶硅控制栅之间分别隔离有侧墙间隔层，所述侧墙间隔层中包含氮化硅层；

所述NORD闪存的俯视面结构中，同一行的所述存储单元的所述栅极结构的所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构分别呈条形结构，且同一行的条形结构中的所述第二栅极结构的所述多晶硅字线的长度小于两侧的所述多晶硅控制栅的长度；

相邻行之间的所述栅极结构之间具有间距；

步骤二、光刻定义出所述栅极结构的端头切断区域，所述栅极结构的端头切断区域位于所述存储单元区的外周；

步骤三、进行第一次刻蚀工艺将打开区域的所述多晶硅字线和所述多晶硅控制栅去除并停止在所述多晶硅间介质层的氮化硅层上；在各所述栅极结构的条形结构的两侧经过所述第一次刻蚀工艺之后的端头侧面处的所述侧墙间隔层暴露出来；

步骤三所述第一次刻蚀工艺之后将在所述端头外侧形成端头沟槽，所述端头沟槽的靠近内侧的侧面为所述端头侧面，所述端头沟槽内的所述多晶硅间介质层和所述多晶硅浮栅都被去除；步骤四、形成第三氧化层，所述第三氧化层覆盖所述端头侧面、所述端头侧面内侧的所述多晶硅字线、所述多晶硅控制栅和所述侧墙间隔层的表面以及所述端头侧面外侧的所述多晶硅间介质层的表面；

所述第三氧化层也覆盖在所述端头沟槽的底部表面和内部侧面上；

步骤五、进行回刻在所述端头侧面形成保护侧墙，所述保护侧墙由回刻后的所述第三氧化层组成，回刻后所述端头侧面外的所述多晶硅间介质层的氮化硅层露出；

步骤六、采用第二次湿法刻蚀工艺去除所述多晶硅间介质层，在所述第二次湿法刻蚀工艺中，所述保护侧墙对所述端头侧面处的所述侧墙间隔层中的氮化硅层进行保护；

步骤七、进行第三次刻蚀工艺将所述端头侧面外的所述多晶硅浮栅去除。

2.如权利要求1所述的NORD闪存的制造方法，其特征在于：步骤一中，所述半导体衬底为硅衬底。

3.如权利要求2所述的NORD闪存的制造方法，其特征在于：所述多晶硅间介质层包括叠加而成的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层。

4.如权利要求2所述的NORD闪存的制造方法，其特征在于：所述第一栅氧化层为氧化硅层；所述第二栅氧化层为氧化硅层。

5.如权利要求1所述的NORD闪存的制造方法，其特征在于：步骤三中所述第一次刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。

6.如权利要求3所述的NORD闪存的制造方法，其特征在于：所述第二次湿法刻蚀工艺中去除氮化硅层的刻蚀液包括磷酸。

7.如权利要求1所述的NORD闪存的制造方法，其特征在于：步骤四形成所述第三氧化层之后还包括在所述第三氧化层表面形成第四氮化层的步骤。

8.如权利要求7所述的NORD闪存的制造方法，其特征在于：步骤五中，回刻后形成的所述保护侧墙的组成部分包括所述第四氮化层。