[发明专利]光阻涂布的方法

说明书

本发明提供了一种光阻涂布的方法，包括将晶圆真空吸附在承片台上；所述承片台先以速度为20‑200r/s的第一速度旋转然后以速度为1000‑3000r/s的第二速度旋转，同时胶嘴对所述晶圆中心进行打胶；停止所述打胶，然后所述承片台以第三速度旋转，以对所述晶圆进行打胶回流，所述第三速度大于0，且小于所述第二速度；所述承片台以第四速度旋转，使光阻在所述晶圆表面成膜，以完成所述光阻涂布，所述第四速度大于所述第一速度和所述第三速度。所述承片台先以速度为20‑200r/s的第一速度旋转然后以速度为1000‑3000r/s的第二速度旋转，同时胶嘴对所述晶圆中心进行打胶，所述承片台采用先低速后高速的变速方式旋转，可以使光阻均匀的附着在晶圆的表面。

技术领域

本发明涉及集成电路光刻工艺技术领域，尤其涉及一种光阻(也称光刻胶)涂布的方法。

背景技术

晶圆涂布光阻设备系统是一个半导体制造中的晶圆加工自动化系统，是半导体制造领域中光刻工艺的核心设备，内部含有涂胶、显影、增粘、烘烤等功能，其中涂胶是重要的功能单元。晶圆经过涂胶单元后，在表面会涂布一层目标厚度的光阻，光阻涂布的是否均匀直接影响后续曝光时线宽的稳定性。随着半导体器件线宽尺寸的不断缩小，对光阻涂布的均匀性要求就越来越严格。

在现有的晶圆涂布光阻设备系统中，对涂胶单元进行转速、时间的设定不同，使得晶圆表面的光阻均匀性不同。现有涂胶工艺中，晶圆涂布光阻后晶圆表面均匀性差，且易出现表面“风纹”缺陷。

因此，有必要提供一种新型的光阻涂布的方法以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光阻涂布的方法，提高晶圆表面光阻的均匀性。

为实现上述目的，本发明的所述光阻涂布的方法，包括以下步骤：

S1：将晶圆真空吸附在承片台上；

S2：所述承片台先以速度为20-200r/s的第一速度旋转然后以速度为1000-3000r/s的第二速度旋转，同时胶嘴对所述晶圆中心进行打胶；

S3：停止所述打胶，然后所述承片台以第三速度旋转，以对所述晶圆进行打胶回流，所述第三速度大于0，且小于所述第二速度；

S4：所述承片台以第四速度旋转，使光阻在所述晶圆表面成膜，以完成所述光阻涂布，所述第四速度大于所述第一速度和所述第三速度。

本发明的有益效果在于：所述承片台先以速度为20-200r/s的第一速度旋转然后以速度为1000-3000r/s的第二速度旋转，同时胶嘴对所述晶圆中心进行打胶，所述承片台采用先低速后高速的变速方式旋转，可以使光阻均匀的附着在晶圆的表面。

优选地，所述承片台以所述第一速度旋转和以所述第二速度旋转的时间比为1:1至1:3之间。

优选地，所述第三速度为100-400r/s，且所述承片台以所述第三速度旋转的时间为0.5-5s。

优选地，所述第四速度为1000-2500r/s，且所述承片台以所述第四速度旋转的时间为1-100s。

优选地，所述步骤S3和所述步骤S4之间还包括以下步骤：

S3a：所述承片台以第五速度旋转，以对所述晶圆进行甩胶，所述第五速度大于0。其有益效果在于：在所述步骤S3和所述步骤S4之间进行甩胶，避免打胶回流后直接成膜，可以有效的避免表面“风纹”缺陷。

进一步优选地，所述第五速度为1500-3000r/s，且所述承片台以所述第五速度旋转的时间为0.5-5s。