[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 201911369338.3 | 申请日: | 2019-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN111048569B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
| 发明(设计)人: | 陈海晶 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区,所述显示区包括多个像素,所述像素包括多个像素区域,所述多个像素区域包括第一颜色区域和第二颜色区域;所述第一颜色区域的发光波长大于所述第二颜色区域的发光波长;
基板;
多个反射组件,位于所述基板的一侧,包括第一反射组件和第二反射组件,所述第一反射组件至少部分位于所述第一颜色区域,所述第二反射组件位于所述第二颜色区域;
多个滤色组件,位于所述反射组件远离所述基板一侧,包括第一滤色组件和第二滤色组件,所述第一滤色组件至少部分位于所述第一颜色区域并透过第一颜色的光,所述第二滤色组件位于所述第二颜色区域并透过第二颜色的光;
在垂直于所述基板的方向上,同一所述像素中,所有所述第一滤色组件与所述第一反射组件的交叠面积等于所有所述第二滤色组件与所述第二反射组件的交叠面积;
所述反射组件包括反射电极,所述滤色组件包括滤色片;在垂直于所述基板的方向上,同一所述像素区域中的所述滤色片完全覆盖所述反射电极;
所述第一反射组件包括第一反射电极和第一反射辅助元件,所述第一反射电极位于所述第一颜色区域;所述第二反射组件包括第二反射电极,所述第二反射电极位于所述第二颜色区域;
在垂直于所述基板的方向上,所述第一滤色组件覆盖至少部分所述第一反射辅助元件;
在垂直于所述基板的方向上,同一所述像素中,所有所述第一滤色组件与所述第一反射辅助元件的交叠面积为第一面积,所述第一面积与所有所述第一反射电极的面积之和等于所有所述第二反射电极的面积之和。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一反射辅助元件与所述第一反射电极同层且采用同种材料,所述第一反射辅助元件与所述第一反射电极电连接,在垂直于所述基板的方向上,所述第一反射辅助元件与所述第二反射电极不交叠。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一反射辅助元件与任一所述反射电极电绝缘。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一反射辅助元件与所述第一反射电极同层且采用同种材料。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括参考电压供给信号线和正性电源电压供给线,所述第一反射辅助元件与所述参考电压供给信号线或者所述正性电源电压供给线电连接。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括多个像素驱动电路,位于所述反射电极与所述基板之间;
所述第一反射辅助元件与所述像素驱动电路中的任一金属层同层且采用同种材料。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述像素驱动电路包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和半导体层,所述第一反射辅助元件与所述源极以及所述漏极同层且采用同种材料。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一滤色组件包括第一滤色片;
在垂直于所述基板的方向上,所述第一滤色片覆盖至少部分所述第一反射辅助元件。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一滤色组件包括第一滤色片和第一辅助滤色片,所述第一滤色片位于所述第一颜色区域,所述第一辅助滤色片至少部分位于所述第一颜色区域;
在垂直于所述基板的方向上,所述第一滤色片与所述第一辅助滤色片不交叠;所述第一辅助滤色片与所述第一反射辅助元件交叠。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在垂直于所述基板的方向上,同一所述像素区域中的所述滤色片的面积大于所述反射电极的面积。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911369338.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





