[发明专利]一种高挺度光学聚酯薄膜有效
| 申请号: | 201911368254.8 | 申请日: | 2019-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN111086306B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
| 发明(设计)人: | 王钦;周通;高青;程龙宝;杜坤 | 申请(专利权)人: | 合肥乐凯科技产业有限公司 |
| 主分类号: | B32B27/06 | 分类号: | B32B27/06;B32B27/36;B32B27/20;B29D7/01;C08J5/18;C08L67/02;C08K9/04;C08K7/08;C08K7/10 |
| 代理公司: | 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 | 代理人: | 李羡民;郭绍华 |
| 地址: | 230041 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高挺度 光学 聚酯 薄膜 | ||
1.一种高挺度聚酯薄膜,所述聚酯薄膜在模头共挤后,经铸片、纵拉、横拉、定型、牵引和收卷制得,其特征在于,所述聚酯薄膜为三层A/B/A结构共挤,即聚酯薄膜A层、聚酯薄膜B层、聚酯薄膜A层的三层结构共挤的双向拉伸聚酯薄膜,所述聚酯薄膜B层含有氧化镁晶须和碳化硅晶须改性的聚酯,所述氧化镁晶须直径为0.05μm~0.3μm、长度为0.7μm~1.5μm,所述碳化硅晶须直径为0.15μm~0.6μm、长度为1μm~2.5μm,所述氧化镁晶须和碳化硅晶须均分别经铝酸酯偶联剂对其表面进行修饰,所述氧化镁晶须和碳化硅晶须在聚酯薄膜B层中的整体浓度为50ppm~450ppm,所述氧化镁晶须和碳化硅晶须的质量比为1:1~5:1。
2.根据权利要求1所述的高挺度聚酯薄膜,其特征在于,所述聚酯薄膜的制备步骤如下:
①.将制得的改性聚酯加入到聚酯薄膜B层中,并在聚酯薄膜A层中添加含有微米级爽滑粒子的聚酯母料,进行熔融挤出;
②.熔体经模头共挤,流延到铸片辊上,形成三层共挤铸片,铸片辊温度为18℃~23℃;
③.将铸片进行纵向拉伸,纵拉温度为66℃~82℃,纵拉比为2.8~4.3;
④.将纵拉片进行横向拉伸,横拉温度为112℃~126℃,横拉比为3.6~4.5;
⑤.将拉伸后的薄膜进行定型、冷却,定型温度为230℃~235℃,冷却温度为40℃~50℃;
⑥.将冷却后的薄膜进行牵引、收卷即得。
3.根据权利要求2所述的高挺度聚酯薄膜,其特征在于,所述铝酸酯偶联剂选自二硬脂酰氧异丙基铝酸酯、异丙氧基二硬脂酸酰氧基铝酸酯或防沉降性铝酸酯中的一种或其组合。
4.根据权利要求3所述的高挺度聚酯薄膜,其特征在于,所述聚酯薄膜A层中的聚酯由二元酸和二元醇酯化缩聚制得。
5.根据权利要求4所述的高挺度聚酯薄膜,其特征在于,所述改性的聚酯的制备步骤为:
⑴.在聚酯反应釜中依次加入所述二元酸、二元醇、催化剂和稳定剂,按照质量比为1:1~5:1分散好的经铝酸酯偶联剂修饰的氧化镁晶须和碳化硅晶须-乙二醇分散液进行打浆,打浆15分钟,并通入氮气保护,在235℃~265℃、255KPa条件下进行酯化3h~4.5h;
⑵.判定酯化终点,待酯化完全后,开启抽真空,在265℃~280℃、20Pa~60Pa条件下,缩聚反应2h~4h,经造丝、冷却、切粒、干燥,制得所述改性的聚酯。
6.根据权利要求5所述的高挺度聚酯薄膜,其特征在于,所述聚酯薄膜的厚度为12μm~350μm。
7.根据权利要求6所述的高挺度聚酯薄膜,其特征在于,所述聚酯薄膜A层与聚酯薄膜B层的厚度比为1:20~1:5。
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