[发明专利]微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法有效
| 申请号: | 201911364394.8 | 申请日: | 2019-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN111180478B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
| 发明(设计)人: | 兰叶;吴志浩;李鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
| 地址: | 215600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微型 发光二极管 外延 显示 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种微型发光二极管显示阵列的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在基板上形成驱动电路;
在所述驱动电路上铺设绝缘层,所述绝缘层为混有金刚石颗粒的旋转涂布玻璃SOG层;
在所述绝缘层上开设延伸至所述驱动电路的通孔,并在所述通孔内填充导电材料,形成电路板;
在所述绝缘层上间隔设置多个半导体器件并加热,将所述多个半导体器件与所述电路板键合在一起,每个所述半导体器件包括依次层叠在所述绝缘层上的P型电极、空穴产生层、有源层、电子产生层、缓冲层和蓝宝石衬底,所述多个半导体器件中的P型电极分别通过所述通孔内的导电材料与所述驱动电路电连接;每个所述半导体器件还包括层叠在所述缓冲层中的激光消耗层,所述激光消耗层由多个多晶层和多个禁带层交替层叠而成,所述多个多晶层的生长温度沿从所述蓝宝石衬底到所述电子产生层的方向逐层升高,所述多个禁带层的禁带宽度沿从所述蓝宝石衬底到所述电子产生层的方向逐层增大;
采用激光剥离的方式去除所述多个半导体器件中的蓝宝石衬底,采用干法刻蚀的方式去除所述缓冲层,并在所述电子产生层上设置N型电极,形成芯片。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述驱动电路与所述绝缘层的接触表面为金层;
所述在所述驱动电路上铺设绝缘层,包括:
在所述驱动电路上涂覆混有金刚石颗粒的SOG液体;
在第一设定温度下固化所述SOG液体,形成SOG层;
加热所述SOG层并在所述金刚石颗粒上施加朝向所述驱动电路的压力,直到所述金刚石颗粒嵌入所述驱动电路的金层中;
在第二设定温度下固化所述SOG层,所述第二设定温度高于所述第一设定温度。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,在所述绝缘层上开设延伸至所述驱动电路的通孔,并在所述通孔内填充导电材料,形成电路板之后,所述制作方法还包括:
刻蚀所述绝缘层,直到所述金刚石颗粒从所述SOG层中露出。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述P型电极与所述绝缘层的接触表面为金层;
所述在所述绝缘层上间隔设置多个半导体器件并加热,将所述多个半导体器件与所述电路板键合在一起,包括:
将所述多个半导体器件放置在所述绝缘层上,所述P型电极位于露出的所述金刚石颗粒上;
在所述多个半导体器件上施加朝向所述绝缘层的压力,直到露出的所述金刚石颗粒嵌入所述P型电极的金层中。
5.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述激光消耗层与所述蓝宝石衬底之间的缓冲层的厚度在0.5微米以上。
6.一种采用权利要求1至5中任一项所述的方法制成的微型发光二极管显示阵列,所述微型发光二极管显示阵列包括电路板(10)和多个芯片(20),所述电路板(10)包括依次层叠的基板(11)、驱动电路(12)和绝缘层(13),所述绝缘层(13)上设有延伸至所述驱动电路(12)的通孔,所述通孔内填充有导电材料,所述多个芯片(20)间隔设置在所述绝缘层(13)上并通过所述通孔内的导电材料与所述驱动电路(12)电连接;其特征在于,所述绝缘层(13)为混有金刚石颗粒的旋转涂布玻璃SOG层。
7.根据权利要求6所述的微型发光二极管显示阵列,其特征在于,所述SOG层的厚度小于所述金刚石颗粒的粒径。
8.根据权利要求6所述的微型发光二极管显示阵列,其特征在于,所述驱动电路(12)与所述绝缘层(13)的接触表面为金层,所述金刚石颗粒嵌入所述金层中。
9.一种微型发光二极管外延片,所述微型发光二极管外延片包括依次层叠的蓝宝石衬底(31)、缓冲层(32)、电子产生层(33)、有源层(34)和空穴产生层(35),其特征在于,所述微型发光二极管外延片还包括层叠在所述缓冲层(32)中的激光消耗层(40),所述激光消耗层(40)由多个多晶层(41)和多个禁带层(42)交替层叠而成,所述多个多晶层(41)的生长温度沿从所述蓝宝石衬底(31)到所述电子产生层(33)的方向逐层升高,所述多个禁带层(42)的禁带宽度沿从所述蓝宝石衬底(31)到所述电子产生层(33)的方向逐层增大。
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