[发明专利]一种类富勒烯碳基复合薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种类富勒烯碳基复合薄膜，其特征在于：所述复合薄膜是由过渡层和类富勒烯碳基层组成的复合结构，过渡层与基底接触；

过渡层和类富勒烯碳基层都是含氢非晶碳，由基底到类富勒烯碳基层方向，过渡层中sp²键含量逐渐减少而sp³键含量逐渐增多，类富勒烯碳基层为卷曲结构且sp³键含量比过渡层多；

所述过渡层是采用如下方法制备的：将甲烷与氩气按1：(1～2)的流量比通入镀膜室中，使镀膜室的气压为10Pa～15Pa；镀膜室中的上极板与射频电源连接，射频功率由0.6kW逐渐增大至0.8kW；镀膜室中的下极板与直流脉冲电源连接，偏压由-400V逐渐增大至-600V，占空比为0.4～0.7，频率为20kHz～40kHz，在基底上形成过渡层；其中，射频功率增加的幅度为0.2kW/h～0.4kW/h，偏压增加的幅度为200V/h～400V/h；

所述类富勒烯碳基层是采用如下方法制备的：再将甲烷与氩气按1:1的流量比通入镀膜室中，使镀膜室的气压为10Pa～15Pa；镀膜室中的上极板与射频电源连接，射频功率为0.8kW～1.0kW；镀膜室中的下极板与直流脉冲电源连接，偏压为-600V～-1000V，占空比为0.4～0.7，频率为20kHz～40kHz，在过渡层上形成类富勒烯碳基层。

2.根据权利要求1所述的类富勒烯碳基复合薄膜，其特征在于：过渡层的厚度以及类富勒烯碳基层的厚度分别独立为800nm～1000nm。

3.一种如权利要求1或2所述的类富勒烯碳基复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下，

(1)先将基底放入镀膜室中进行表面刻蚀清洗处理；

(2)然后，将甲烷与氩气按1：(1～2)的流量比通入镀膜室中，使镀膜室的气压为10Pa～15Pa；镀膜室中的上极板与射频电源连接，射频功率由0.6kW逐渐增大至0.8kW；镀膜室中的下极板与直流脉冲电源连接，偏压由-400V逐渐增大至-600V，占空比为0.4～0.7，频率为20kHz～40kHz，在基底上形成过渡层；

(3)再将甲烷与氩气按1:1的流量比通入镀膜室中，使镀膜室的气压为10Pa～15Pa；镀膜室中的上极板与射频电源连接，射频功率为0.8kW～1.0kW；镀膜室中的下极板与直流脉冲电源连接，偏压为-600V～-1000V，占空比为0.4～0.7，频率为20kHz～40kHz，在过渡层上形成类富勒烯碳基层，即完成所述复合薄膜的制备。

4.根据权利要求3所述的类富勒烯碳基复合薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中基底表面刻蚀清洗处理的具体操作如下：向镀膜室中通入10Pa～15Pa的氩气，基底上施加-800V～-1200V的脉冲偏压，占空比为0.4～0.7，频率为20kHz～40kHz，对基底表面刻蚀清洗20min～30min。