[发明专利]一种结合模板和脉冲法制备金属氧化物纳米管阵列的方法

权利要求书

1.一种结合模板和脉冲法制备金属氧化物纳米管阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）通过电化学沉积法在泡沫镍表面制备ZnO纳米棒阵列，并浸入稀NaOH溶液中进行活化处理；

（2）采用脉冲电沉积法在ZnO纳米棒侧壁上包覆一层金属纳米颗粒；

（3）将上述泡沫镍浸入浓NaOH溶液中腐蚀掉ZnO纳米棒，制备得到相应的金属氧化物纳米管阵列；

步骤（1）中，活化处理采用的溶液为0.18 M NaOH溶液，处理时间为2.5h，确保处理后金属颗粒将优先沉积于ZnO纳米棒侧壁；

步骤（3）中：腐蚀所用溶液为3 MNaOH溶液，腐蚀时间为30分钟，完全腐蚀掉ZnO纳米棒且将包覆的金属颗粒氧化为金属氧化物；

金属纳米颗粒为Ni、Co、Cu、Mn、Pt或Fe。

2.根据权利要求1所述的结合模板和脉冲法制备金属氧化物纳米管阵列的方法，其特征在于，步骤（1）中，电沉积具体步骤为：将泡沫镍清洗后置于20 mM硝酸锌、10 mM醋酸铵和10 mM乌洛托品混合溶液中，在80℃下施加电流密度为-0.8 mA/cm²的电流，持续50min。

3.根据权利要求1所述的结合模板和脉冲法制备金属氧化物纳米管阵列的方法，其特征在于，步骤（2）中，脉冲电沉积具体参数为：沉积电流密度：-50~70 mA/cm²，沉积时间：40ms，放电电流密度：50~70 mA/cm²，放电时间：10 ms，关断时间：4 s，周期：400~500次。

4.根据权利要求2所述的结合模板和脉冲法制备金属氧化物纳米管阵列的方法，其特征在于，电化学处理中：采用传统三电极系统，泡沫镍为工作电极，纯Pt片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极。