[发明专利]一种低损耗截止波长位移单模光纤

权利要求书

1.一种低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，由中心至外周依次包括：芯层、渐变层、内包层、凹陷层、第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层与外包层；

所述芯层的半径R1为4～7μm；芯层与外包层的相对折射率差△1为0～0.2％；

所述渐变层的半径为R2，其厚度R2-R1为1.0～3.0μm；第一渐变层与外包层的相对折射率差△2沿中心外延方向逐渐减小，以中位线计，△2为0～0.15％；

所述内包层的半径为R3，其厚度R3-R2为0～2μm；内包层与外包层的相对折射率差△3为-0.04％～0.04％；

所述凹陷层的半径为R4，其厚度R4-R3为3～7.2μm；凹陷层与外包层的相对折射率差△4为-0.3％～-0.4％；

所述第一过渡层的半径为R5，其厚度R5-R4为3～7μm；第一过渡层与外包层的相对折射率差△5为-0.3％～-0.2％，且△5＞△4；

所述第二过渡层的半径为R6，其厚度R6-R5为3～7μm；第二过渡层与外包层的相对折射率差△6为-0.21％～-0.1％，且△6＞△5；

所述第三过渡层的半径为R7，其厚度R7-R6为0～20μm；第三过渡层与外包层的相对折射率差△7为-0.1％～0％，且△7＞△6；

所述外包层的半径为R8，R8为60～65μm。

2.根据权利要求1所述的低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，所述渐变层中距离光纤中心半径为r处与外包层的相对折射率差为△2(r)；

其中，R1＜r＜R2；0.2≤β≤3。

3.根据权利要求1所述的低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，所述芯层为掺杂有元素F、P与GeO₂的二氧化硅玻璃层；芯层中F的摩尔掺杂浓度为0.01％～0.3％；P的摩尔掺杂浓度为0.01％～0.3％；GeO₂的摩尔掺杂浓度为0.1％～1％；

所述渐变层中F的摩尔掺杂浓度为0.1％～0.61％；P的摩尔掺杂浓度为0.01％～0.3％；GeO₂的摩尔掺杂浓度为0.1％～1.5％；

所述内包层中F的摩尔掺杂浓度为0.3％～1.5％；P的摩尔掺杂浓度为0.01％～0.3％；GeO₂的摩尔掺杂浓度为0.1％～0.5％；

所述凹陷层中F的摩尔掺杂浓度为1.0％～2.0％；GeO₂的摩尔掺杂浓度为0～0.2％；

所述第一过渡层中F的摩尔掺杂浓度为0.3％～1.5％；GeO₂的摩尔掺杂浓度为0～0.2％；

所述第二过渡层中F的摩尔掺杂浓度为0.3％～1.5％；GeO₂的摩尔掺杂浓度为0～0.2％；

所述第三过渡层中F的摩尔掺杂浓度为0.2％～1.5％；GeO₂的摩尔掺杂浓度为0～0.2％。

4.根据权利要求1所述的低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，所述低损耗截止波长位移单模光纤的应用波长为1535～1625nm。

5.根据权利要求1所述的低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，所述低损耗截止波长位移单模光纤在1550nm处的模场直径为12～13μm。

6.根据权利要求1所述的低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，所述低损耗截止波长位移单模光纤在1550nm处的衰减系数等于或小于0.175dB/km。

7.根据权利要求1所述的低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，所述低损耗截止波长位移单模光纤的光缆截止波长小于1530nm。

8.根据权利要求1所述的低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，所述低损耗截止波长位移单模光纤在1550nm，10mm-半径1圈的宏弯损耗等于或小于0.1dB。

9.根据权利要求1所述的低损耗截止波长位移单模光纤，其特征在于，所述低损耗截止波长位移单模光纤在1625nm，30mm-半径100圈的宏弯损耗等于或小于0.1dB。