[发明专利]上电复位电路在审

专利信息
申请号: 201911340535.2 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN113098459A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 高航;张海冰 申请(专利权)人: 圣邦微电子(北京)股份有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;王月玲
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 复位 电路
【权利要求书】:

1.一种上电复位电路,其特征在于,包括:

第一电流源,用于产生第一电流;

第二电流源,用于产生第二电流;

第一电流镜电路,用于将所述第一电流成比例关系复制为第三电流,所述第一电流镜电路的输出端与所述第二电流源连接于第一节点;

第二电流镜电路,用于将所述第一电流成比例关系复制为第四电流;

充放电电路,与所述第一节点、所述第二电流镜电路的输出端、第一电容的上极板连接,所述充放电电路用于根据所述第一节点的电压对所述第一电容进行充电或放电操作,且充电时流经所述第一电容的充电电流为所述第四电流;以及

逻辑电路,所述逻辑电路的输入端与所述第一电容的上极板连接,输出端用于提供上电复位信号。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路,其特征在于,还包括反馈电路,分别与所述逻辑电路以及所述第一电容的上极板连接,用于在充电时向所述第一电容提供第五电流。

3.根据权利要求2所述的上电复位电路,其特征在于,所述第一电流镜电路包括第一至第三晶体管、以及第二电容,

其中,第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管构成电流镜,

所述第一晶体管的第一端与所述第一电流源连接以接收所述第一电流,所述第三晶体管的第一端与所述第一节点连接以提供所述第三电流,

所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管的第二端接地,

所述第二电容的上极板与所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制端连接于第二节点,下极板接地。

4.根据权利要求3所述的上电复位电路,其特征在于,所述第二电流镜电路包括第四晶体管和第五晶体管,

其中,所述第四晶体管和所述第五晶体管构成电流镜,

所述第四晶体管和所述第五晶体管的第一端与电源电压连接,

所述第四晶体管的第二端与所述第二晶体管的第一端连接以接收所述第一电流,所述第五晶体管的第二端用于提供所述第四电流。

5.根据权利要求4所述的上电复位电路,其特征在于,所述充放电电路包括第六晶体管和第七晶体管,

所述第六晶体管的第一端用于接收所述第四电流,第二端与所述第七晶体管的第一端连接,所述第七晶体管的第二端接地,

所述第六晶体管和所述第七晶体管的控制端与所述第一节点连接,

所述第六晶体管和所述第七晶体管之间的第三节点与所述第一电容的上极板连接。

6.根据权利要求5所述的上电复位电路,其特征在于,所述逻辑电路包括依次串联连接的第一反相器和第二反相器,

所述第一反相器的输入端与所述第三节点连接,所述第二反相器的输出端用于提供所述上电复位信号。

7.根据权利要求6所述的上电复位电路,其特征在于,所述反馈电路包括第八晶体管,所述第八晶体管的第一端与所述电源电压连接,第二端与所述第三节点连接,控制端与所述第一反相器和第二反相器之间的第四节点连接,

其中,所述第八晶体管用于在导通时向所述第三节点提供所述第五电流。

8.根据权利要求7所述的上电复位电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第七晶体管为N型MOSFET,

所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管以及所述第八晶体管为P型MOSFET。

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