[发明专利]存储器件及其编程方法

说明书

本发明提供了一种存储器件及其编程方法，所述存储器件包括：存储阵列，包括若干行列分布的存储单元；若干驱动单元，用于向所述存储单元的位线施加驱动信号；驱动电路模块，用于控制所述驱动单元以设定方式进行驱动；其中，所述设定方式包括：需要编程的存储单元对应的驱动单元提供驱动信号；不需要编程的存储单元对应的驱动单元不提供驱动信号。本发明中的存储器件在编程时，若干所述驱动单元可以根据实际需要写入的数据合理分配驱动能力，只需要编程的存储单元对应的驱动单元才提供驱动信号，不需要编程的存储单元对应的驱动单元不提供驱动信号，相较于利用一个驱动单元输出大电流，本发明的中的驱动单元输出的纹波电压小且能耗较低。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器件及其编程方法。

背景技术

近年来，在半导体存储器迅速发展的过程中，由于DRAM、EEPROM、快闪存储器等先进存储器具有高密度、低功耗和低价格的优点，其已经成为了计算机、移动通信终端中普遍采用的存储装置。

存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。近年来，在半导体存储器迅速发展的过程中，闪存(Flash Memory)由于具有高密度、低功耗和低价格的优点，其已经成为了计算机、移动通信终端中普遍采用的存储器。闪存中的存储单元通常以阵列的形式分布，每个存储单元通常包括四个引线：位线(BL，Bit-Line)、字线(WL，Word-Line)、源线(SL，Source-Line)和基线(SBL，Sub-Line)，分别对应耦接MOS晶体管的漏极、栅极、源极和基极。一般，在对存储器的存储单元进行编程(program)、擦除(Erase)或读取(Read)操作时，可能需要对存储单元的各引线施加不同的电压。

对于种NOR Flash来说，其可能具有一位编程模式或多位编程模式(例如8位编程模式、16位编程模式或32位编程模式等)。多位编程模式下，NOR Flash采用沟道热电子注入(Channel hot electron injection，CHE)的方式实现编程，也就是说，需要在多位存储单元的位线和字线上同时施加不同的高压。图1示出了一种NOR Flash在执行16位编程模式的局部示意图。如图1所示，NOR Flash中的存储单元呈阵列分布，每列存储单元共用位线，每行存储单元共用字线，源端接地。当NOR Flash对第一行的16位N0’、N1’…N15’进行编程时，首先在第一行字线WL0’上施加例如9V的高电压，然后利用位线选通电路选中第一列至第16列中需要编程的存储单元(所述位线选通电路会根据编程数据控制开关SW0’、SW1’…SW15’开启或关闭)，驱动单元(Pump)在位线BL0’、BL1’…BL15’上施加例如4V的电压，使得沟道中的热电子进入并存储在存储单元的浮栅中，实现将D0’、D1’…D15’写入的操作。CHE方式需要大电流，Pump在驱动一个位时大约需要提供200uA，由于Pump不知道具体需要写入的数据的位数，所以总是提供足以驱动16个位的驱动电流，因此Pump需要以至少200*16uA的驱动能力提供驱动电流。但是实际上，在编程时，16个位的某些位并不需要写入数据(不需要编程的位对应的开关是关闭的)，也就是说，有些存储单元不需要被编程，但是Pump的驱动能力始终保持不变，导致Pump提供的电流远大于或等于编程需要的电流，导致Pump输出的纹波电压很大，并且也增加了能耗。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器件及其编程方法，能够合理分配驱动单元的驱动能力，减小输出的纹波电压，且减小在编程时的能耗。

为了达到上述目的，本发明提供了一种存储器件，包括：

存储阵列，包括若干行列分布的存储单元；

若干驱动单元，用于提供驱动信号，所述驱动单元提供的驱动信号叠加后施加在所述存储单元的位线上；

驱动电路模块，用于控制所述驱动单元以设定方式进行驱动；