[发明专利]一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构

权利要求书

1.一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构，其特征在于：它包括压力敏感芯体、引线转接组件、调理电路和数字处理器(22)，所述压力敏感芯体、引线转接组件、调理电路、数字处理器(22)依次相连。

2.根据权利要求1所述的一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构，其特征在于：压力敏感芯体包括金属膜片(2)和半导体敏感膜片(3)，金属膜片(2)的一端和半导体敏感膜片(3)的一端连接构成刚性一体结构。

3.根据权利要求2所述的一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构，其特征在于：半导体敏感膜片(3)选用硅-蓝宝石耐高温材料制成。

4.根据权利要求3所述的一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构，其特征在于：

所述半导体敏感膜片(3)利用微机械加工工艺制作。

5.根据权利要求2所述的一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构，其特征在于：金属膜片(2)的截面为E形，金属膜片(2)采用TC4钛合金材料制作，TC4钛合金的屈服强度1×10⁹Pa；

所述金属膜片(2)的平面部分与半导体敏感膜片(3)的输入端相连。

6.根据权利要求2所述的一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构，其特征在于：半导体敏感膜片(3)的输出端的边缘设有R1、R2、R3和R4四个电阻条，R2、R4的长度方向以半导体敏感膜片(3)轴线为基准对称设置，R1、R3的长度方向以半导体敏感膜片(3)的轴线为基准对称设置，R1、R2、R3和R4设置的方向互相平行，R1、R2、R3和R4上分别与一根芯体引线(17)的输入端连接。

7.根据权利要求6所述的一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构，其特征在于：所述引线转接组件包括陶瓷引线(18)、压接组件(8)和高温电缆(13)；

所述每根芯体引线(17)的输出端与一根陶瓷引线(18)的输入端连接，陶瓷引线(18)的输出端与压接组件(8)的一端连接，压接组件(8)的另一端与高温电缆(13)的输入端连接；

8.根据权利要求7所述的一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构，其特征在于：所述压接组件(8)内部设有可伐丝，可伐丝的输入端与陶瓷引线(18)的输出端连接，可伐丝的输出端与高温电缆(13)的输入端连接。

9.根据权利要求1所述的一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构，其特征在于：所述调理电路包括模拟采集电路(19)、模数转换器(20)和模数转换器基源(21)，模拟采集电路(19)的输入端与高温电缆(13)的输出端连接，模拟采集电路(19)的输出端与模数转换器(20)的输入端相连，模数转换器(20)的输入端还与模数转换器基源(21) 相连，模数转换器(20)的输出端与数字处理器(22)连接。

10.根据权利要求8所述的一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构，其特征在于：所述一种耐350℃高温压力传感器的转接环结构还包括接头(1)、转接板(4)、转接环(5)、绝缘子外环(6)、陶瓷引线组件(7)、外壳(9)、压板(10)、螺钉(11)、高温石英布(12)和插头(14)；

所述接头(1)与金属膜片(2)的另一端连接，转接环(5)的一端与金属膜片(2)一端的外侧固接，转接环(5)的另一端与绝缘子外环(6)的一端固接，绝缘子外环(6)的另一端与外壳(9)的一端固接；外壳(9)的另一端与压板(10)的一端连接，

所述转接板(4)设置在转接环(5)内部，芯体引线(17)穿过转接板(4)；

所述陶瓷引线组件(7)设置在陶瓷引线(18)的外部，陶瓷引线组件(7)外沿与绝缘子外环(6)的内壁相连；

所述高温电缆(13)穿过外壳(9)的另一端和压板(10)的中部，压板(10)圆周上设有螺钉(11)，压板(10)与高温电缆(13)之间设有高温石英布(12)；

所述高温电缆(13)的输出端与插头(14)连接，并通过插头(14)转接到模拟采集电路(19)上。