[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一晶体管包括：

绝缘表面上的第一栅电极；

所述第一栅电极上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；

与所述第一氧化物半导体膜接触的一对第一导电膜；

所述第一氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；以及

所述第二绝缘膜上的第二栅电极，

第二晶体管包括：

所述第一绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；

与所述第二氧化物半导体膜接触的一对第二导电膜；

所述第二氧化物半导体膜上的所述第二绝缘膜；以及

所述第二绝缘膜上的第三栅电极，

其中，所述第一氧化物半导体膜在不与所述第二栅电极及所述一对第一导电膜重叠的第一区域中包含杂质元素，

并且，所述第二氧化物半导体膜在不与所述第三栅电极及所述一对第二导电膜重叠的第二区域中包含所述杂质元素。