[发明专利]芯片无线参数的校准方法、装置及电子设备有效
| 申请号: | 201911297886.X | 申请日: | 2019-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN111200467B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
| 发明(设计)人: | 祖东辉;刘森;叶红亮 | 申请(专利权)人: | 翱捷科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H04B17/11 | 分类号: | H04B17/11;H04B17/21 |
| 代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 冯振华 |
| 地址: | 518035 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 无线 参数 校准 方法 装置 电子设备 | ||
1.一种芯片无线参数的校准方法,其特征在于,包括:
确定待校准的目标芯片;
通过辐射测试,采集所述目标芯片的辐射参数;
获取对应所述目标芯片的辐射损耗值;
将所述辐射参数和所述辐射损耗值相加的值,作为所述目标芯片的无线参数;
所述获取对应所述目标芯片的辐射损耗值的步骤,包括:
通过传导测试,采集测试芯片的传导参数,其中,所述测试芯片为与所述目标芯片同批次生产且同型号的其他芯片;
通过辐射测试,采集所述测试芯片的辐射参数;
根据所述传导参数和所述辐射参数,确定对应所述目标芯片的辐射损耗值。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,与所述目标芯片同批次生产的全部同型号芯片按照生产顺序排列成校准序列,其中,排列在所述校准序列中的前M个芯片为所述测试芯片,所述目标芯片为所述校准序列中除了所述测试芯片之外的芯片,其中,M为正整数;
所述通过传导测试,采集测试芯片的传导参数的步骤,包括:
通过传导测试,采集全部测试芯片的传导参数,计算平均传导参数;
所述通过辐射测试,采集所述测试芯片的辐射参数的步骤,包括:
通过辐射测试,采集全部所述测试芯片的辐射参数,计算平均辐射参数;
所述根据所述传导参数和所述辐射参数,确定对应所述目标芯片的辐射损耗值的步骤,包括:
根据所述平均传导参数和所述平均辐射参数,确定对应所述目标芯片的辐射损耗值。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述平均传导参数和所述平均辐射参数,确定对应所述目标芯片的辐射损耗值的步骤,包括:
计算所述平均传导参数和所述平均辐射参数的差值,作为对应所述目标芯片的辐射损耗值。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述平均传导参数和所述平均辐射参数,确定对应所述目标芯片的辐射损耗值的步骤,包括:
获取所述目标芯片对应的N个前向芯片的已测辐射参数,其中,所述前向芯片为在所述校准序列中与所述目标芯片前向邻接的芯片,N为正整数;
计算全部所述前向芯片的平均已测辐射参数;
计算所述平均传导参数和所述平均已测辐射参数的差值,作为所述目标芯片的辐射损耗值。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述校准序列中的芯片划分为多个组;
所述计算所述平均传导参数和所述平均已测辐射参数的差值,作为所述目标芯片的辐射损耗值的步骤之前,所述方法包括:
判断所述目标芯片是否为所在分组的第一个芯片;
所述计算所述平均传导参数和所述平均已测辐射参数的差值,作为所述目标芯片的辐射损耗值的步骤,包括:
若所述目标芯片为所在分组的第一个芯片,则将所述平均传导参数和所在分组的前一分组全部芯片的平均已测辐射参数作为所述目标芯片的辐射损耗值。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述判断所述目标芯片是否为所在分组的第一个芯片的步骤之后,所述方法还包括:
若所述目标芯片不为所在分组的第一个芯片,则将所在分组中的第一个芯片对应的辐射损耗值作为所述目标芯片的辐射损耗值。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其特征在于,所述将所述辐射参数和所述辐射损耗值相加的值,作为所述目标芯片的无线参数的步骤之后,所述方法还包括:
根据所述无线参数,校准所述目标芯片的射频发射参数。
8.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:
至少一个处理器;以及,
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行前述权利要求1-7中任一项所述的芯片无线参数的校准方法。
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