[发明专利]一种生长抑素的二硫替代物及其制备方法在审
| 申请号: | 201911290538.X | 申请日: | 2019-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN110894228A | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
| 发明(设计)人: | 孟祥明;朱良静;方葛敏;朱满洲 | 申请(专利权)人: | 合肥修合生物科技有限公司 |
| 主分类号: | C07K14/655 | 分类号: | C07K14/655;C07K1/04;C07K1/06;C07K1/30 |
| 代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 乔恒婷 |
| 地址: | 230011 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 生长 替代 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种生长抑素的二硫替代物及其制备方法,通过使用硫醚键替换生长抑素二硫键后得到一种生长抑素二硫替代物,目标多肽是通过Fmoc固相合成方法实现,粗品经纯化,冻干得到生长抑素二硫替代物。本发明的生长抑素二硫替代物相比于生长抑素在二硫苏糖醇还原条件下具有良好的还原稳定性。
技术领域
本发明涉及一种生长抑素的二硫替代物及其制备方法。
背景技术
生长抑素目前作为一种二硫键环肽药物,半衰期在2到3分钟之间,在治疗食道静脉曲张出血方面有一定的临床价值。研究表明,二硫键与多肽的空间结构和生物活性密切相关,然而,二硫键在体内容易被硫醇和二硫异构酶还原,导致多肽药物结构重排和生物活性的丧失。因此,寻找一种稳定的共价键替换二硫键去约束多肽的空间结构具有重要的意义。
发明内容
针对生长抑素的二硫键在还原条件下易被断裂的缺陷,本发明旨在提供一种生长抑素的二硫替代物及其制备方法。本发明利用Fmoc-A2(Ally/Alloy)-OH的硫醚键替换生长抑素一对二硫键,以便形成一种结构更加稳定的二硫替代物。本发明的生长抑素二硫替代物在二硫苏糖醇还原条件下相比于现有的生长抑素具有良好的还原稳定性。
本发明生长抑素的二硫替代物,是通过使用二氨基二酸Fmoc-A2(Ally/Alloy)-OH硫醚键替换生长抑素二硫键后获得的。
所述特殊氨基酸Fmoc-A2(Ally/Alloy)-OH的结构式为:
本发明生长抑素的二硫替代物,其结构如下:
本发明生长抑素的二硫替代物的制备方法,包括如下步骤:
步骤1:合成Fmoc-A2(Ally/Alloy)树脂
将2-CI-Trt树脂用DMF溶胀,加入Fmoc-A2(Ally/Alloy)-OH、DIPEA和DCM的混合液反应,接着加入DCM、MeOH和DIPEA的混合液进行反应,得到Fmoc-A2(Ally/Alloy)树脂;
步骤2:Fmoc法固相合成生长抑素二硫替代物
将步骤1获得的Fmoc-A2(Ally/Alloy)树脂转移到固相合成管中,DMF溶胀后采用Fmoc 固相合成法依肽序进行氨基酸的缩合连接,当生长抑素二硫替代物C端第11个氨基酸Fmoc -Lys(Boc)-OH缩合完成之后,脱除树脂肽Alloc和Ally保护基团,Fmoc保护基团后分子内环化,依肽序采用Fmoc固相合成法继续缩合氨基酸;当固相合成结束后,外加切割试剂反应2 小时,冰乙醚沉淀纯化后得到生长抑素二硫替代物H-Ala-Gly-Cys-Lys-Asn-Phe-Phe-Trp-Lys- Thr-Phe-Thr-Ser-Ala-OH(Cys3-Ala14,硫醚键)。
具体制备过程如下:
步骤1:合成Fmoc-A2(Ally/Alloy)树脂
称量12.5mg 2-CI-Trt树脂(载量0.40mmol/g,5umol)于固相合成管中,加入DMF溶胀15 分钟,加入5.68mg Fmoc-A2(Ally/Alloy)-OH,7uL DIPEA,150uL DCM,常温反应2小时,加入100uL DCM/MeOH/DIPEA(17:2:1),常温封端反应20分钟;树脂依次用DCM、DMF洗涤3次。
步骤2:Fmoc法固相合成生长抑素二硫替代物
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