[发明专利]成膜装置

说明书

本发明提供一种工件的冷却效率优异的成膜装置。所述成膜装置具有：搬入搬出部(100)；旋转体(3)；多个处理部(PR)；以及推动器(500)，朝工件(W)从旋转体(3)脱离，并被从开口(ОP)导入处理部(PR)内的方向对基座(S)施力；多个处理部(PR)包含对工件(W)进行加热的加热部(200)、对工件(W)进行成膜的成膜部(300)、及对工件(W)进行冷却的冷却部(400)，在旋转体(3)设置有保持部(33)，所述保持部(33)保持旋转体(3)正在搬送的基座(S)，并通过由推动器(500)施力而放开基座(S)，在推动器(500)设置有密封部(520)，所述密封部(520)将工件(W)导入处理部(PR)，并且将开口(ОP)密封。

技术领域

本发明涉及一种成膜装置。

背景技术

作为在基板等工件的表面进行成膜的装置，广泛地使用利用溅射的成膜装置。溅射是如下的技术：利用通过使已导入腔室内的气体等离子体化而产生的离子冲撞作为成膜材料的靶的平面，由此成膜材料飞散而附着在工件。

有时在工件的表面进行成膜之前，事先进行排除工件中所含有的水分或大气的脱气处理。这在例如将容易含有大气或水分的陶瓷基板用作工件的情况，另外，在将如铜、钛、钨等的金属膜那样容易氧化的材料用作工件的情况下，对于抗氧化有效。

脱气处理通过使工件的温度升温至300度左右为止来进行。但是，脱气处理后，例如若在利用多个成膜材料使包含多个层的多层膜成膜的期间内，温度条件变化，则引起多层膜的内部应力的变动。因此，各层的成膜必须尽可能以相同的温度条件来进行，且脱气处理后，使温度条件不变。

工件经由承接板而载置在基座(susceptor)上来搬送，所述基座载置在进行间歇旋转的旋转台上。即，在进行间歇旋转的旋转台的停止位置，配置有进行脱气处理的加热室、进行利用各成膜材料的成膜的成膜室。而且，工件通过旋转台的间歇旋转而来到加热室进行脱气处理后，在成膜室中依次进行成膜处理。

这些加热室、成膜室等处理室设置在真空腔室内，处理室间在真空中被搬送。因此，在脱气处理时已升温至300℃左右为止的工件与基座未被冷却，保持300℃左右。于是，若在成膜处理结束后，直接朝大气空间中搬出，则已在高温的工件上成膜的膜会氧化。因此，必须在朝大气中搬送之前进行工件的冷却。例如，使已升温至300℃左右为止的工件降温至作为为了朝大气空间中搬出而需要的温度的60℃左右为止。

作为对工件进行冷却的冷却机构，有如下的机构：将工件收容在冷却室内并进行密封，使冷却介质在冷却室内流通，由此进行冷却(参照专利文献1)。在此种机构中，将基座载置在旋转台上来搬送，在与处理室对应的停止位置，利用具有推动器(pusher)的上推机构将基座向上推，而通过基座来将处理室密封。

在包括冷却机构的冷却室中，也在上盖设置冷却介质进行循环的冷却板，使通过推动器而已与基座一同被向上推的工件与冷却板相向，将冷却介质导入已由基座密封的冷却室内，由此进行基板的冷却。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4653418号公报

发明内容

发明所要解决的问题

此处，在使已升温至300℃左右为止的基板降温至为了朝大气中搬出而需要的60℃左右为止时，需要进行约240℃这一大幅度的降温的冷却。但是，例如，当为了以每一节拍240秒左右进行一连串的处理而进行连续搬送时，若冷却时间比其长，则冷却处理变成限速的处理，处理量受到影响。

但是，由于冷却在真空中进行，因此仅利用所述冷却板的冷却并不足够，为了提高冷却效率，必须对冷却室内供给冷却气体。若导入冷却气体，则冷却室内的压力变高。