[发明专利]一种单晶硅SE-PERC太阳能电池制造方法在审
| 申请号： | 201911277158.2 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111106206A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 韩大伟;林纲正;陈刚 | 申请（专利权）人： | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 金丽英 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 se perc 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种单晶硅SE-PERC太阳能电池制造方法，包括制绒、扩散、正面激光、刻蚀、退火、背面钝化膜、正面钝化膜、背面激光、背面印刷、正面印刷、烧结、光衰处理步骤，其特征在于：所述正面印刷步骤包括主栅线印刷流程、副栅线印刷流程，所述主栅线边缘设有多个用于与所述副栅线搭接的喇叭口，所述喇叭口远离所述主栅线的端部设有凹口，所述主栅线印刷流程印刷所述主栅线和所述喇叭口，所述副栅线印刷流程将所述副栅线靠近主栅线的端部印刷在所述凹口上方位置使所述副栅线搭接在所述喇叭口上。
2.如权利要求1所述的单晶硅SE-PERC太阳能电池制造方法，其特征在于：所述喇叭口的长度为0.35毫米，所述喇叭口与所述副栅线重叠部分长度为0.25毫米，所述喇叭口与所述主栅线相接一端的宽度为0.1毫米，所述喇叭口远离所述主栅线的端部的宽度为0.065毫米，所述凹口的宽度为0.015毫米。
3.如权利要求1所述的单晶硅SE-PERC太阳能电池制造方法，其特征在于：所述副栅线印刷流程中，副栅网版要求使用48011网布，总膜厚在25～35微米之间，张力范围为17～21牛顿，副栅线设计线宽20～22微米，副栅印刷湿重范围为20～70毫克，所述主栅线印刷流程中主栅印刷湿重范围为30～80毫克。
4.如权利要求1至3任一项所述的单晶硅SE-PERC太阳能电池制造方法，其特征在于：所述扩散步骤制备高方块电阻半成品电池片，方块电阻范围为120～200欧姆每方块。
5.如权利要求4所述的单晶硅SE-PERC结构电池的制备方法，其特征在于：所述正面激光步骤激光功率为20～30瓦特。
6.如权利要求5所述的单晶硅SE-PERC太阳能电池制造方法，其特征在于：所述烧结步骤烧结炉烧结区温度设置为900～990摄氏度。
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