[发明专利]一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管，其特征在于，该晶体管包括自下而上依次堆叠的基板(1)、栅电极(2)，SiO₂栅绝缘层(3)，半导体层(4)和源漏电极(5)，所述的半导体层(4)包括Eu和SnO₂，其中Eu和SnO₂的摩尔比为(0.1-0.5):1。

2.根据权利要求1所述的一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管，其特征在于，所述的基板(1)材料包括光学玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管，其特征在于，所述的栅电极(2)的材料包括ITO。

4.根据权利要求1所述的一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管，其特征在于，所述的源漏电极(5)包括左右对称布置的ITO源电极和ITO漏电极，源漏电极(5)的沟道宽度为80-120μm。

5.根据权利要求1所述的一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管，其特征在于，所述的半导体层为n型半导体层。

6.根据权利要求1所述的一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管，其特征在于，所述的半导体层为非晶材料。

7.一种如权利要求1所述的掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)采用射频磁控溅射沉积，将栅电极(2)沉积在基板(1)上；

(2)使用离子源辅助的电子束蒸发沉积，将SiO₂栅绝缘层(3)沉积在栅电极(2)上；

(3)将氯化亚锡二水合物和硝酸铕六水合物溶于乙二醇单甲醚中，在搅拌，静置，过滤后得到前驱体溶液；

(4)将前驱体溶液旋涂在SiO₂栅绝缘层(3)上，使半导体层(4)沉积在SiO₂绝缘层(3)上，并进行退火处理；

(5)利用射频磁控溅射沉积，将源漏电极(5)沉积在半导体层(4)上，并对源漏电极(5)进行退火处理，得到掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管。

8.根据权利要求7所述的一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述的硝酸铕六水合物、氯化亚锡二水合物和乙二醇单甲醚的摩尔体积比为0.0001-0.0005mol:0.001-0.002mol:10ml，所述搅拌的温度为20-35℃，时间为6-12h，所述静置的时间为12-36h。

9.根据权利要求7所述的一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述的退火处理，是以50℃为一个梯度，逐步加热至300℃再退火1h。

10.根据权利要求7所述的一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述退火处理的温度为350-450℃，时间为0.5-2h。