[发明专利]湿法刻蚀机台及湿法刻蚀药液的回收方法在审

专利信息
申请号: 201911255945.7 申请日: 2019-12-10
公开(公告)号: CN111106041A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 樊蓉华;杨谊;王春伟 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/306
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 张彦敏
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 湿法 刻蚀 机台 药液 回收 方法
【权利要求书】:

1.一种湿法刻蚀机台,其特征在于,包括:

反应腔体,其用于容纳半导体产品,并使半导体产品在其中完成湿法刻蚀工艺;

第一流通管路,第一流通管路的第一端连接反应腔体,第一流通管路的第二端连接预混合腔体,用于将从反应腔体输出的可再使用的湿法刻蚀药液回收至预混合腔体中;

预混合腔体,接收从反应腔体输出的可再使用的湿法刻蚀药液,将从反应腔体输出的可再使用的湿法刻蚀药液与预混合腔体中的其它药液混合并调整温度至期望值;以及

混合腔体,通过第二流通管路接收从预混合腔体输出的湿法刻蚀药液,并通过第三流通管路将湿法刻蚀药液传送至反应腔体,以使半导体产品在反应腔体中完成湿法刻蚀工艺。

2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机台,其特征在于,所述预混合腔体包括加热装置,通过加热装置调整所述预混合腔体中药液的温度至期望值。

3.根据权利要求1或2任一项所述的湿法刻蚀机台,其特征在于,所述期望值为当将预混合腔体中的湿法刻蚀药液通过混合腔体传输至反应腔体内时,湿法刻蚀药液的温度为湿法刻蚀工艺期望的温度。

4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机台,其特征在于,所述湿法刻蚀药液为CLk-888或TMAH。

5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机台,其特征在于,所述湿法刻蚀机台为Su3200Single机台。

6.一种湿法刻蚀药液的回收方法,其特征在于,包括:

将反应腔体中可再使用的湿法刻蚀药液回收至预混合腔体中;

在预混合腔体中将从反应腔体接收的可再使用的湿法刻蚀药液与预混合腔体中的其它药液混合并调整温度至期望值;以及

将预混合腔体内的湿法刻蚀药液经混合腔体传送至反应腔体,以使半导体产品在反应腔体中完成湿法刻蚀工艺。

7.根据权利要求6所述的湿法刻蚀药液的回收方法,其特征在于,所述预混合腔体包括加热装置,通过加热装置调整所述预混合腔体中药液的温度至期望值。

8.根据权利要求6或7任一项所述的湿法刻蚀药液的回收方法,其特征在于,所述期望值为当将预混合腔体中的湿法刻蚀药液通过混合腔体传输至反应腔体内时,湿法刻蚀药液的温度为湿法刻蚀工艺期望的温度。

9.根据权利要求6所述的湿法刻蚀药液的回收方法,其特征在于,所述湿法刻蚀药液为CLk-888或TMAH。

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