[发明专利]用于EEPROM中灵敏放大器的时序发生电路

说明书

本申请公开了一种用于EEPROM中灵敏放大器的时序发生电路，属于电子制造领域。该电路中第一、第二NMOS管连接，电流源与第一、第二NMOS管连接；第二NMOS管与第一CMOS反相器连接，第一CMOS反相器接输入电压；两个CMOS反相器、第一PMOS管、第三NMOS管连接，其公共端记为点OUTb；第二CMOS反相器与第二PMOS管、第四NMOS管连接，第二CMOS反相器接第五、第六NMOS管；第五NMOS管接点OUTb，第四NMOS管和第二PMOS管分别通过反相器接输入电压；解决了现有时序发生电路在宽电压域下读取速度慢的问题；达到了令时序发生电路在宽电压域下产生的延迟时间有更小的偏差的效果。

技术领域

本申请涉及电子制造领域，具体涉及一种用于EEPROM中灵敏放大器的时序发生电路。

背景技术

EEPROM(Eectrically Erasable Programmable Read-only Memory，电可擦除可编程只读存储器)。EEPROM由存储阵列和外围电路组成，外围电路包括解码器、选择器、逻辑控制器、存储单元的栅极字线驱动器、灵敏放大器。

灵敏放大器用于分辨存储的数据是“1”还是“0”，而让读取电路中的灵敏放大器正常工作需要一个时序产生电路来产生所需的时序。

发明内容

本申请提供了一种用于EEPROM中灵敏放大器的时序发生电路，可以解决相关技术中时序发生电路在宽电压域下产生的延迟时间偏差较大的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种用于EEPROM中灵敏放大器的时序发生电路，包括电流源、两个CMOS反相器、若干个NMOS管、若干个PMOS管、反相器和缓存器；

第一NMOS管与第二NMOS管连接，电流源与第一NMOS管和第二NMOS管连接；

第二NMOS管与第一CMOS反相器连接，第一CMOS反相器的输入端接输入电压；

第一CMOS反相器的输出端与第二CMOS反相器的输入端、第一PMOS管、第三NMOS管连接，第一CMOS反相器、第二CMOS反相器、第一PMOS管、第三NMOS管的公共端记为点OUTb；

第二CMOS反相器与第二PMOS管、第四NMOS管连接，第二CMOS反相器的输出端连接缓存器，第二CMOS反相器和缓存器的公共端连接第五NMOS管，第五NMOS管连接第六NMOS管，第六NMOS管的偏置电流由电流源提供；

第五NMOS管的栅极连接点OUTb，第四NMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极分别通过反相器连接输入电压。

可选的，第一CMOS反相器、第一PMOS管、第二PMOS管接电源电压；

第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第六NMOS管接电源地。

可选的，第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极连接；

电流源与第一NMOS管的漏极连接，电流源为第一NMOS管和二NMOS管提供电流源。

可选的，第一CMOS反相器由第七NMOS管和第三PMOS管构成；

第七NMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极连接，作为第一CMOS管的输入端；

第七NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接，作为第一CMOS管的输出端；

第七NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极连接；

第三PMOS管的源极连接电源电压vpwr。

可选的，第二CMOS反相器由第八NMOS管和第四PMOS管构成；