[发明专利]SiC化学气相沉积装置

权利要求书

1.一种SiC化学气相沉积装置，其中，具有：

炉体，其在内部构成沉积空间；和

载置台，其位于所述沉积空间内，且在载置面载置SiC晶片，

所述炉体具有：

第1孔，其位于所述炉体的与所述载置面对置的上部，向所述沉积空间内导入原料气体；

第2孔，其位于所述炉体的侧壁，供吹扫气体流入所述沉积空间内；以及

第3孔，其位于所述炉体的侧壁的比所述第2孔靠下方的位置，将所述沉积空间内的气体排出，

在所述第2孔的下端具备突出部，该突出部朝向所述沉积空间突出，调整所述原料气体的流动。

2.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，

所述炉体从上方开始具备第1部分、第2部分以及第3部分，

所述第1部分的内径比所述第3部分的内径小，

所述第2部分将所述第1部分与所述第3部分接合，

所述第1孔位于所述第1部分，

所述第2孔和所述突出部位于所述第2部分，

所述第3孔位于所述第3部分。

3.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，

所述突出部遍及所述炉体的侧壁的整周呈圆环状地存在。

4.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，

所述突出部相对于所述载置面平行。

5.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，

所述突出部从所述炉体的侧壁朝向所述沉积空间相对于所述载置面向上倾斜。

6.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，

在俯视观察所述载置面时，所述突出部的所述成膜空间侧的第1端位于比载置于所述载置面的SiC晶片的外周靠外侧的位置。

7.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，

所述第2孔位于所述炉体的侧壁的整周上。