[发明专利]辐射环境下双极型晶体管正向电流增益退化模型的构建方法

权利要求书

1.一种辐射环境下双极型晶体管正向电流增益退化模型的构建方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：

步骤1：基于大注入条件发射极电流得到由发射区注入至基区的少数载流子浓度n_E大注入条件下发射区注入至基区的载流子浓度分布远大于中性基区浓度，在设定由发射极注入的载流子满足线性分布的条件下，得到发射区注入至基区的载流子浓度n_E；

步骤2：获得基极电流和电流增益的分布

大注入条件下，忽略空间电荷区及界面处的复合电流，基极电流由向集电区反向注入的空穴电流I_B1以及在中性基区内的中性基区复合电流I_B3构成，在设定集电极电流近似等于发射极电流的条件下，获得正向电流增益的分布；

步骤3：辐射环境正向电流增益退化模型的建立

通过辐射环境下基区少数载流子寿命的退化，获得正向电流增益及损伤模型，待确定参数采用非线性函数拟合的形式获得；

步骤4：模型验证

利用重离子辐射模拟空间辐射环境，实际测量不同剂量下正向电流增益损伤因子DF随偏压VBE的变化，然后基于步骤3所建立的模型计算模型值与实测值之间的相对偏差，比较模型值及实测值的差异。