[发明专利]OLED显示面板及其制造方法、OLED显示器有效
| 申请号: | 201911226778.3 | 申请日: | 2019-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN111063831B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
| 发明(设计)人: | 邴一飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制造 方法 显示器 | ||
1.一种有机发光显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成阳电极和像素定义层,所述像素定义层围绕形成呈阵列排布的多个凹槽,所述阳电极一一位于所述凹槽中,所述多个凹槽包括若干第一凹槽、若干第二凹槽和若干第三凹槽,所述像素定义层包括第一堤坝、第二堤坝和第三堤坝,所述第一堤坝和第二堤坝的高度均大于所述第三堤坝的高度,所述第一堤坝位于所述第一凹槽和第二凹槽之间,所述第二堤坝位于所述第一凹槽和第三凹槽之间,所述第三堤坝位于所述第二凹槽和第三凹槽之间,其中同时邻靠所述第一凹槽及所述第二凹槽的所述第一堤坝的高度等于同时邻靠所述第一凹槽及所述第三凹槽的所述第二堤坝的高度;
通过喷墨打印将溶有第一有机发光材料的墨水滴入所述第一凹槽中并成膜形成第一有机发光层,将溶有第二有机发光材料的墨水滴入所述第二凹槽中并成膜形成第二有机发光层,以及将溶有第三有机发光材料的墨水滴入所述第三凹槽中并成膜形成第三有机发光层;
形成覆盖所述第一有机发光层、第二有机发光层、第三有机发光层以及所述像素定义层的电子传输层;
形成覆盖所述电子传输层的阴电极。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一堤坝和第二堤坝的倾斜角相等且均大于所述第三堤坝的倾斜角。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述衬底基板表面具有亲水性,所述第一堤坝、第二堤坝和第三堤坝表面均具有疏水性。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一堤坝和第二堤坝的高度相等。
5.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
阳电极和像素定义层,位于所述衬底基板上,所述像素定义层围绕形成呈阵列排布的多个凹槽,所述阳电极一一位于所述凹槽中,所述多个凹槽包括若干第一凹槽、若干第二凹槽和若干第三凹槽,所述像素定义层包括第一堤坝、第二堤坝和第三堤坝,所述第一堤坝和第二堤坝的高度均大于所述第三堤坝的高度,所述第一堤坝位于所述第一凹槽和第二凹槽之间,所述第二堤坝位于所述第一凹槽和第三凹槽之间,所述第三堤坝位于所述第二凹槽和第三凹槽之间,其中同时邻靠所述第一凹槽及所述第二凹槽的所述第一堤坝的高度等于同时邻靠所述第一凹槽及所述第三凹槽的所述第二堤坝的高度;
有机发光层,包括第一有机发光层、第二有机发光层和第三有机发光层,所述第二有机发光层和第三有机发光层的厚度均小于第一有机发光层的厚度,所述第一有机发光层位于第一凹槽中,所述第二有机发光层位于第二凹槽中,所述第三有机发光层位于第三凹槽中;
电子传输层,覆盖于所述第一有机发光层、第二有机发光层、第三有机发光层以及所述像素定义层上;
阴电极,覆盖于所述电子传输层上。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一堤坝和第二堤坝的高度相等,以及所述第二有机发光层和第三有机发光层的厚度相等。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一堤坝和第二堤坝的倾斜角相等且均大于所述第三堤坝的倾斜角。
8.根据权利要求6或7所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述衬底基板的表面具有亲水性,所述第一堤坝、第二堤坝和第三堤坝的表面均具有疏水性。
9.根据权利要求6所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一堤坝包括第一主堤坝和位于所述第一主堤坝上的第一子堤坝,所述第二堤坝包括第二主堤坝和位于所述第二主堤坝上的第二子堤坝,所述第一主堤坝、第二主堤坝和第三堤坝的高度相等。
10.一种有机发光显示器,其特征在于,所述有机发光显示器包括集成电路以及如上述权利要求5~9任一项所述的有机发光显示面板,所述集成电路与所述有机发光显示面板连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





