[发明专利]下电极及化学气相沉积装置有效
| 申请号: | 201911222447.2 | 申请日: | 2019-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN111041452B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
| 发明(设计)人: | 兰天宇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电极 化学 沉积 装置 | ||
本发明公开了一种下电极及化学气相沉积装置,该下电极包括基座、设置于所述基座上的承载板以及镀在所述承载板表面的阳极膜;其中,所述阳极膜包括第一区域以及包围所述第一区域设置的第二区域,所述第一区域的表面粗糙度为第一粗糙度,所述第二区域的表面粗糙度为第二粗糙度,所述第一粗糙度大于所述第二粗糙度,所述承载板用于承载玻璃基板,且所述玻璃基板的四角位于所述第二区域。本发明通过改变下电极阳极膜内第一区域和第二区域的形状,使得化学气相沉积制程中玻璃基板的四角位于所述第二区域,从而减少了玻璃基板下表面边缘因与下电极挤压而产生的刮伤,提高了OLED产品的生产良率。
技术领域
本发明涉及液晶面板制造领域,具体涉及一种下电极及化学气相沉积装置。
背景技术
随着社会发展,对显示设备的需求不断增长,推动了液晶面板行业的快速发展,而化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)装置是液晶面板和半导体制备过程中的关键设备,下电极是化学气相沉积装置中的关键部件。
目前的化学气相沉积装置在工作时,玻璃基板放置在下电极上,玻璃基板的边缘受到遮蔽框的正压力,导致玻璃基板的下表面与下电极产生挤压,进而导致玻璃基板的背部边缘存在刮伤的现象。而有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)产品在蒸镀时通常采用背部对位,对位标记的位置正好位于玻璃基板背部刮伤的区域,该刮伤直接影响后段蒸镀对位掩模板的识别,产品无法蒸镀,从而影响OLED产品的生产良率。
综上所述,现有的OLED产品生产中存在因玻璃基板背部刮伤而无法蒸镀的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种下电极及干蚀刻机,用于解决现有的OLED产品生产中存在因玻璃基板背部刮伤而无法蒸镀的技术问题。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种下电极,包括:基座、设置于所述基座上的承载板以及镀在所述承载板表面的阳极膜;
其中,所述阳极膜包括第一区域以及包围所述第一区域设置的第二区域,所述第一区域的表面粗糙度为第一粗糙度,所述第二区域的表面粗糙度为第二粗糙度,所述第一粗糙度大于所述第二粗糙度,所述承载板用于承载玻璃基板,且所述玻璃基板的四角位于所述第二区域。
在本发明的一些实施例中,所述第一粗糙度为15~25um。
在本发明的一些实施例中,所述第二粗糙度为5~10um。
在本发明的一些实施例中,所述阳极膜的材料为氧化铝。
在本发明的一些实施例中,所述阳极膜的厚度为10~20um。
在本发明的一些实施例中,所述第一区域包括至少一个倒角区域。
在本发明的一些实施例中,所述倒角区域的轮廓为直线倒角或圆倒角。
在本发明的一些实施例中,所述第二区域的外轮廓为矩形,所述矩形的顶点与所述倒角区域的最短距离为第一距离,所述矩形的直线边与所述第一区域的最短距离为第二距离,所述第一距离大于所述第二距离。
在本发明的一些实施例中,所述第一距离的长度为35~100mm,所述第二距离的长度为5~30mm。
第二方面,本发明还提供一种化学气相沉积装置,包括:真空腔、遮蔽框、扩散板、上电极和如以上实施例所述的下电极。
本发明通过改变下电极阳极膜内第一区域和第二区域的形状,使得化学气相沉积制程中玻璃基板的四角位于所述第二区域,由于所述第一区域的表面粗糙度大于所述第二区域的表面粗糙度,从而减少了玻璃基板下表面边缘因与下电极挤压而产生的刮伤,进而OLED产品得以完成后段蒸镀时的对位标记,提高了OLED产品的生产良率。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911222447.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





