[发明专利]一种OLED面板、OLED面板的制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种OLED面板，其特征在于，包括：

基板；

发光器件阵列，位于所述基板上；

薄膜封装层，封装所述发光器件阵列，所述薄膜封装层包括至少一个有机薄膜层和至少一个无机薄膜层；至少一个所述有机薄膜层为含氧氟有机薄膜层；

其中，所述含氧氟有机薄膜为将氢气、氧气和氟碳气体通过等离子体增强化学气相沉积的方式形成的薄膜，用于增加蓝光波长段的透光性。

2.根据权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，所述氟碳气体包括CHF₃、C₃F₈、C₄F₁₀、C₂F₄和C₄F₈中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，所述含氧氟有机薄膜层与所述发光器件阵列之间设置有至少一个所述无机薄膜层。

4.根据权利要求3所述的OLED面板，其特征在于，所述无机薄膜层包括氧化铝薄膜或氮化硅薄膜。

5.根据权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，所述无机薄膜层的厚度为30nm-200nm；

所述有机薄膜层的厚度为800nm-1600nm。

6.一种OLED面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成发光器件阵列；

在所述发光器件阵列上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层包括至少一个有机薄膜层和至少一个无机薄膜层；至少一个所述有机薄膜层为含氧氟有机薄膜层；其中，所述含氧氟有机薄膜为将氢气、氧气和氟碳气体通过等离子体增强化学气相沉积的方式形成的薄膜，用于增加蓝光波长段的透光性。

7.根据权利要求6所述的OLED面板的制备方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积形成所述含氧氟有机薄膜层；

在等离子体增强化学气相沉积设备内分别通入预设流量的氟碳气体、氢气和氧气；

在射频电源的作用下沉积形成所述含氧氟有机薄膜层。

8.根据权利要求7所述的OLED面板的制备方法，其特征在于，所述氟碳气体的流量为80-120sccm，所述氢气的流量为5-10sccm，所述氧气的流量为5-10sccm。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的OLED面板。