[发明专利]一种CI复合导电体及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201911221367.5 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111383792A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 丁梓兴 | 申请（专利权）人： | 深圳市金中瑞通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/00 | 分类号： | H01B5/00;H01B13/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ci 复合 导电 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种CI复合导电体，其特征在于，所述复合导电体包括导电框体结构，所述导电框体为中空结构，所述中空结构内部设置有软金属层。
2.根据权利要求1所述的复合导电体，其特征在于，所述软金属层部分或完全填充于所述中空结构；
优选地，所述软金属层的厚度为0.01～2mm。
3.根据权利要求1或2所述的复合导电体，其特征在于，所述导电框体至少含有两个中空结构，所述中空结构内部分别独立地设置有软金属层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的复合导电体，其特征在于，所述导电框体的材料为导电材料；
优选地，所述导电材料包括石墨烯、金、银、铅或镍中的任意一种或至少两种的组合。
5.根据要求1-4任一项所述的复合导电体，其特征在于，所述软金属层的材料为软金属材料；
所述软金属材料包括软银、软铝、软铁或软铜中的任意一种或至少两种的组合。
6.一种权利要求1-5任一项所述的CI复合导电体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
使用成型工艺将所述导电材料制备成具有中空结构的导电框体，将软金属材料复合到所述中空结构中，得到所述复合导电体。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述成型工艺为冲压成型。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述冲压成型的温度为20～40℃；
优选地，所述冲压成型的压力为1～2个大气压。
9.根据权利要求6-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述复合的方法为冷热喷涂复合或热压成型复合。
10.一种权利要求1-5任一项所述的CI复合导电体的应用，其特征在于，所述复合导电体应用于航空航天、航海制造以及汽车制造领域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市金中瑞通讯技术有限公司，未经深圳市金中瑞通讯技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911221367.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：聚酰亚胺低聚物、包含其的聚合物组合物和制品、及其制造方法
- 下一篇：显示装置
