[发明专利]量子点发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括层叠设置的阳极、量子点发光层、包含纳米片结构的电子传输层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极及所述电子传输层之间，所述电子传输层设置在所述量子点发光层及所述阴极之间，所述电子传输层包括层叠设置的第一电子传输层及第二电子传输层，所述量子点发光层设置于所述阳极及所述第一电子传输层之间，所述第一电子传输层设置于所述量子点发光层及所述第二电子传输层之间，所述纳米片结构包括铺设在所述第一电子传输层中的若干纳米片，所述第二电子传输层的材料为纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层中纳米片的材料与所述第二电子传输层中的电子传输材料为同种电子传输材料。

3.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，若干所述纳米片中有75％以上的纳米片的生长延伸方向是一致的。

4.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，若干所述纳米片沿与所述第一电子传输层延伸的方向上铺设于所述第一电子传输层中。

5.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，相邻所述纳米片相互连接。

6.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层中纳米片的材料选自ZnO、BaO和TiO₂中的至少一种电子传输材料。

7.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层的厚度为5nm-20nm。

8.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括设于所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴注入层和/或空穴传输层。

9.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在保护气体氛围下，在阳极上形成量子点发光层，在所述量子点发光层上形成包含纳米片结构的电子传输层，形成所述电子传输层包括在所述量子点发光层上形成第一电子传输层，在所述第一电子传输层上形成第二电子传输层；以及在所述第二电子传输层上形成阴极；或

在保护气体氛围下，在阴极上形成包含纳米片结构的电子传输层，形成所述电子传输层包括在所述阴极上形成第二电子传输层，在所述第二电子传输层上形成第一电子传输层；在所述第一电子传输层上形成量子点发光层，以及在所述量子点发光层上形成阳极；

其中，所述纳米片结构包括铺设在所述第一电子传输层中的若干纳米片，所述第二电子传输层的材料为纳米颗粒。

10.根据权利要求9所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一电子传输层中纳米片的材料与所述第二电子传输层中的电子传输材料为同种电子传输材料。

11.根据权利要求9或10所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述保护气体为氩气。