[发明专利]图像传感器在审

专利信息
申请号: 201911197712.6 申请日: 2019-11-29
公开(公告)号: CN112218013A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 杨允熙 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/378;H04N5/361
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,该图像传感器包括:

基板,该基板被配置为包括多个像素,每个像素包括检测光的光电二极管;

多个深沟槽隔离DTI结构,所述多个DTI结构形成于所述基板中以将所述多个像素中的每一个与相邻像素光学隔离;以及

透明电极层,该透明电极层布置在所述光电二极管上方并电连接至所述多个DTI结构。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个像素包括将入射光转换为电信号的有源像素,并且其中,所述有源像素的所述透明电极被配置为向所述有源像素的所述DTI结构施加第一偏置。

3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个像素包括生成不是由于入射光引起的信号的光学黑像素,并且其中,所述光学黑像素的所述透明电极被配置为向所述有源像素的所述DTI结构施加第二偏置。

4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述DTI结构包括:

侧壁,该侧壁由折射率不同于所述基板的绝缘材料形成;以及

电极,该电极由填充所述侧壁的内部区域的导电材料形成。

5.根据权利要求1所述的图像传感器,该图像传感器还包括:

绝缘层,该绝缘层设置在所述基板和所述透明电极层之间。

6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中,所述DTI结构通过穿过所述绝缘层的接触电联接至所述透明电极层。

7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述DTI是从所述基板的前侧形成的前侧DTI FDTI结构或从所述基板的后侧形成的后侧DTI BDTI。

8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个像素包括:

有源像素,该有源像素被配置为生成与入射光相对应的像素信号;以及

光学黑像素,该光学黑像素被配置为生成不是由于所述入射光引起的另一像素信号,并且

其中,施加到所述有源像素的透明电极层的第一偏置不同于施加到所述光学黑像素的透明电极层的第二偏置。

9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,所述第一偏置和所述第二偏置被预定为使所述有源像素和所述光学黑像素之间的暗电平信号的差最小化。

10.根据权利要求9所述的图像传感器,该图像传感器还包括:

一次性可编程OTP存储器,该OTP存储器被配置为存储所述第一偏置的电压值和所述第二偏置的电压值。

11.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个像素包括有源像素,并且其中,所述有源像素还包括:

滤色器,该滤色器设置在所述光电二极管上方并且被配置为选择性地允许具有特定波长的光信号通过;以及

微透镜,该微透镜设置在所述滤色器上方并且被配置为将入射光聚焦到所述光电二极管上。

12.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个像素包括光学黑像素,并且其中所述光学黑像素还包括:

遮光层,该遮光层设置在所述透明电极层上方并被配置为阻挡入射光。

13.一种图像传感器,该图像传感器包括:

有源像素,该有源像素包括至少一个光电二极管并被配置为具有深沟槽隔离DTI结构和第一透明电极层,所述DTI和所述第一透明电极层彼此联接并被配置为接收用于沿着所述DTI结构累积电荷的第一偏置;以及

光学黑像素,该光学黑像素包括至少一个光电二极管并配置为具有所述DTI结构和第二透明电极层,所述DTI和所述第二透明电极层彼此联接并被配置为接收用于沿着所述DTI结构累积电荷的第二偏置,

其中,所述第一偏置能够独立于所述第二偏置地进行调整。

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