[发明专利]用于功率半导体的冷却装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201911170346.5 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112447626A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金硕俊 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/473;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 功率 半导体 冷却 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于功率半导体的冷却装置，包括：
冷却器，其具有冷却路径，使得冷却介质在冷却器中流动；以及
多层结构的辅助冷却板，其结合至所述冷却器的与所述功率半导体形成接触的表面。
2.根据权利要求1所述的用于功率半导体的冷却装置，其中，所述冷却器由铝制成，
所述辅助冷却板具有多层结构，所述多层结构包括：
铜层；
反应防止层，其设置在所述铜层上以防止铜层的铜成分与所述冷却器的铝成分之间的界面反应；以及
填料层，其设置在所述反应防止层上以结合至铝冷却器。
3.根据权利要求2所述的用于功率半导体的冷却装置，其中，所述反应防止层由金属制成，该金属使得所述反应防止层的相异金属成分彼此接触时的相变反应温度高于铜层的铜成分与铝冷却器的铝成分接触时的相变反应温度。
4.根据权利要求3所述的用于功率半导体的冷却装置，其中，所述反应防止层的金属成分为钢。
5.根据权利要求3所述的用于功率半导体的冷却装置，其中，所述反应防止层的金属成分为镍。
6.一种制造用于功率半导体的冷却装置的方法，包括如下步骤：
提供多层结构的辅助冷却板；
提供冷却器，所述冷却器具有冷却路径使得冷却介质在冷却器中流动；以及
将辅助冷却板结合至所述冷却器的与所述功率半导体形成接触的表面，
其中，提供冷却器与结合辅助冷却板在相同的钎焊过程中一起进行，使得冷却器的制造与结合辅助冷却板同时进行。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述提供冷却器通过铝钎焊过程进行，
提供辅助冷却板包括如下步骤：
提供铜层；
形成反应防止层，所述反应防止层在所述铜层上以防止铜层的铜成分与所述冷却器的铝成分之间的界面反应；以及
在所述反应防止层上形成填料层，所述填料层会结合至铝冷却器。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述反应防止层由金属制成，该金属使得所述反应防止层的相异金属成分彼此接触时的相变反应温度高于铜层的铜成分与铝冷却器的铝成分接触时的相变反应温度。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述反应防止层的金属成分为钢。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述反应防止层的金属成分为镍。
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