[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板、遮光层、蚀刻阻挡层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层和源漏极层，遮光层设置于基板上，蚀刻阻挡层设置于遮光层上，缓冲层覆盖于基板、遮光层及蚀刻阻挡层上，有源层、栅极绝缘层和栅极层依次设置于缓冲层上，层间介质层覆盖于缓冲层、有源层、栅极绝缘层及栅极层上，层间介质层具有第一通孔、第二通孔及第三通孔，源漏极层设置于层间介质层上，源漏极层经处理形成源极和漏极，源极和漏极位于通孔中和层间介质层上。在本申请中，通孔一次蚀刻完成，且不蚀刻所述蚀刻阻挡层，提升了阵列基板的生产效率和产品品质，并减少了生产成本。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

随着社会发展，人们对显示设备的需求在不断增加。目前阵列基板在生产过程中，在对阵列基板的层间介质层和缓冲层进行蚀刻开孔时，需要多道光罩或半色调光罩进行多次蚀刻开孔，导致了开口率减少、成本增加、易将无需开孔的结构也同时进行蚀刻，影响了阵列基板的生产效率和产品品质，且生产成本升高。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，以提升阵列基板的生产效率和产品品质，并降低生产成本。

本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

基板；

遮光层，所述遮光层设置于所述基板上；

蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层设置于所述遮光层上；

缓冲层，所述缓冲层覆盖于所述基板、所述遮光层及所述蚀刻阻挡层上；

有源层、栅极绝缘层和栅极层，所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极层依次设置于所述缓冲层上；

层间介质层，所述层间介质层覆盖于所述缓冲层、所述有源层、所述栅极绝缘层及所述栅极层上，所述层间介质层具有第一通孔、第二通孔及第三通孔；以及

源漏极层，所述源漏极层设置于所述层间介质层上，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极包括第一电连接部和第二电连接部，所述第一电连接部填充于所述一通孔以电连接所述蚀刻阻挡层，所述第二电连接部填充于所述第二通孔以电连接所述有源层所述漏极包括第三电连接部，所述第三电连接部填充于所述第三通孔以电连接所述有源层。

在本申请所提供的阵列基板中，所述刻蚀阻挡层包括蚀刻阻挡部，所述遮光层包括遮光部，所述蚀刻阻挡部覆盖于所述遮光部。

在本申请所提供的阵列基板中，所述有源层包括半导体单元，所述半导体单元位于所述蚀刻阻挡部之上，所述栅极绝缘层包括栅极绝缘部，所述栅极绝缘部位于所述半导体单元上，所述栅极层包括栅极，所述栅极位于所述栅极绝缘部上。

在本申请所提供的阵列基板中，所述第一通孔贯穿所述层间介质层及所述缓冲层以暴露所述蚀刻阻挡部，所述第二通孔贯穿所述层间介质层以暴露所述半导体单元的一侧，所述第三通孔贯穿所述层间介质层以暴露所述半导体单元的另一侧。

在本申请所提供的阵列基板中，所述第一电连接部电连接于所述蚀刻阻挡部，所述第二电连接部电连接于所述半导体单元的一侧，所述第三电连接部电连接于所述半导体单元的另一侧。

在本申请所提供的阵列基板中，所述缓冲层的材料包括Si、SiNx和SiOx中的一种或几种组合，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物、铟锌氧化物和锌锡氧化物中的一种或几种组合。

在本申请所提供的阵列基板中，所述蚀刻阻挡层的材料包括Mo、Cu、Al和Ti中的一种或几种组合。

本申请提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成遮光层；