[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成遮光层；

在所述遮光层形成由若干蚀刻阻挡部构成的单一的蚀刻阻挡层；设置一缓冲层，所述缓冲层覆盖所述基板、所述遮光层和所述蚀刻阻挡层；

在所述缓冲层上依次设置有源层、栅极绝缘层和栅极层；

设置一层间介质层，所述层间介质层覆盖所述缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层；

蚀刻所述层间介质层和所述缓冲层形成第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第一通孔贯穿所述层间介质层和所述缓冲层以暴露所述蚀刻阻挡层，所述第二通孔贯穿所述层间介质层以暴露所述有源层，所述第三通孔贯穿所述层间介质层以暴露所述有源层；以及

在所述层间介质层上设置源漏极层，所述源漏极层经过图案化处理形成源极和漏极，源极包括第一电连接部和第二电连接部，所述第一电连接部填充于所述第一通孔以电连接所述蚀刻阻挡层，所述第二电连接部填充于所述第二通孔以电连接所述有源层，漏极包括第三电连接部，所述第三电连接部填充于所述第三通孔以电连接所述有源层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一通孔、所述第二通孔及所述第三通孔采用干法蚀刻形成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括Si、SiNx 和 SiOx 中的一种或几种组合，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物、铟锌氧化物和锌锡氧化物中的一种或几种组合，所述蚀刻阻挡层的材料包括 Mo、Cu、Al 和 Ti 中的一种或几种组合。