[发明专利]鳍式晶体管版图参数抽取计算方法及其抽取计算系统

权利要求书

1.一种鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，基于calibre svrf语言编辑LVS文件实现，其特征在于，包括以下步骤：

S1,定义鳍式晶体管扩散区；

S2,定义鳍式晶体管栅区；

S3,定义鳍式晶体管源漏区；

S4,计算沟道宽度，沟道宽度为栅区与源漏区重合部分总边长的二分之一。

2.如权利要求1所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：步骤S1中定义鳍式晶体管扩散区包括以下步骤；

S1.1，若该版图中存在扩散区图层，则提取该扩散区图层作为第一类扩散区；

S1.2，若该版图中不存在扩散区图层，则将鳍式扩散区去除精细鳍式截断区和精细鳍式截断区后，将图形扩大二分之一鳍的节距，再缩小二分之一鳍的节距，得到第二类扩散区；

S1.3,扩散区＝第一类扩散区+第二类扩散区。

3.如权利要求2所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：利用calibresvrf语言编辑LVS文件定义扩散区，关键代码为AAeff＝AAeff1 OR AAeff2。

4.如权利要求1所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：步骤S2中定义鳍式晶体管栅区为扩散区与多晶硅交集部分。

5.如权利要求4所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：利用calibresvrf语言编辑LVS文件定义栅区，关键代码为Gate＝AAeff AND poly。

6.如权利要求1所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：步骤S3中定义源漏区为扩散区扣除栅极部分。

7.如权利要求6所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：利用calibresvrf语言编辑LVS文件定义源漏区，关键代码为SD_MOS＝AAeff NOT Gate。

8.如权利要求1所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：利用calibresvrf语言编辑LVS文件计算沟道宽度，关键代码为

9.如权利要求1所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于，还包括：

S5，计算扩散区内等效鳍的数量N_fin，

W_fin为每一根鳍的宽度，为定值，与工艺参数相关；F_pitch为鳍的节距，W为沟道宽度。

10.如权利要求1-9任意一项所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于，还包括：

S6，电子设计自动化工具，输出运行结果，查验sp文件。

11.如权利要求1-9任意一项所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：所述鳍式晶体管包括鳍式场效晶体管和鳍式金属氧化物半导体变容二极管。

12.一种鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，基于calibre svrf语言编辑LVS文件实现，其特征在于，包括：

区域定义模块，其适用于定义鳍式晶体管扩散区、鳍式晶体管栅区和鳍式晶体管源漏区；

计算模块,其适用于计算沟道宽度，沟道宽度为栅区与源漏区重合部分总边长的二分之一。

13.如权利要求12所述鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，其特征在于：区域定义模块定义鳍式晶体管扩散区为：若该版图中存在扩散区图层，则提取该扩散区图层作为第一类扩散区；若该版图中不存在扩散区图层，则将鳍式扩散区去除精细鳍式截断区和精细鳍式截断区后，将图形扩大二分之一鳍的节距，再缩小二分之一鳍的节距，得到第二类扩散区；扩散区＝第一类扩散区+第二类扩散区。