[发明专利]一种OLED器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911154616.3 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN110943181A 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 储金星;杨中国;吴元均;李金川 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨艇要
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 oled 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种OLED器件及其制备方法,OLED器件包括相对设置的彩膜基板和阵列基板;封装结构,包括第一阻水结构,覆于所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面;第二阻水结构,覆于所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面;封装胶层,封装于所述彩膜基板和所述阵列基板之间且包覆所述第一阻水结构和所述第二阻水结构。本发明的有益效果在于本发明的OLED器件及其制备方法通过在彩膜基板上制备量子点层及覆盖量子点层的阻水层,在阵列基板的OLED层上覆盖一层阻水层达到保护量子点层级OLED器件的目的,同时在OLED层采用双层阻水层加强阻水效果,缓冲层设于双层阻水层之间,用以缓冲后续封装步骤中贴附封装胶带来的应力,提高所述OLED器件的使用寿命。

技术领域

本发明涉及OLED领域,特别涉及一种OLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点(QD)是一种无机纳米级半导体材料,可以在一定的光压和电场,发出特定频率的光,且其光频率会随着量子点的尺寸的改变而变化,因而可以通过精准控制量子点的尺寸使其发出纯色RGB三原色,从而显著提高色域,目前已在QD-LCD TV中广泛应用。OLED拥有自发光、超轻薄、响应速度快、宽视角等特性。将QD与OLED器件结合可有效提升OLED色域从而提升产品性能,而量子点和OLED都需要进行封装减少水汽影响提高寿命。

发明内容

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种OLED器件及其制备方法,用以解决量子点OLED器件及其封装技术问题。

解决上述技术问题的技术方案是:本发明提供了一种OLED器件,包括相对设置的彩膜基板和阵列基板;封装结构,包括第一阻水结构,覆于所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面;第二阻水结构,覆于所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面;封装胶层,封装于所述彩膜基板和所述阵列基板之间且包覆所述第一阻水结构和所述第二阻水结构。

进一步的,所述第二阻水结构包括两层阻水层和设于两层所述阻水层之间的缓冲层。

进一步的,所述彩膜基板包括第一衬底;色阻层,设于所述第一基板上;阻挡层,设于所述色阻层上;量子点层,设于所述阻挡层上;所述第一阻水结构覆盖所述色阻层和所述量子层并延伸至所述第一衬底上。

进一步的,所述色阻层包括若干色组单元和围绕所述色阻单元的遮光层;所述量子层包括量子点单元和围绕所述量子点单元的像素定义层,其中,所述量子点单元与所述色阻单元对应。

进一步的,所述阵列基板包括第二衬底;薄膜晶体管结构层,设于所述第二衬底上;OLED层,设于所述薄膜晶体管结构层上;所述第二阻水结构覆盖所述OLED层并延伸至所述薄膜晶体管结构层上。

进一步的,所述封装结构的材料为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化铝中的至少一种。

本发明还提供了一种OLED器件的制备方法,包括彩膜基板和阵列基板的制备方法以及封装方法,其中所述封装方法包括在所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面沉积第一阻水结构;在所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面沉积第二阻水结构;将封装胶材贴附于彩膜基板朝和所述阵列基板上,通过加热或加压使封装胶材固化形成封装胶层。

进一步的,所述彩膜基板的制备方法包括:提供第一基板;在所述第一基板制备第一衬底;在所述第一衬底制备色阻层,包括制备若干色阻单元的围绕所述色阻单元的遮光层;在所述色阻层上制备阻挡层,所述阻挡层覆盖所述色阻层;在所述阻挡层上制备量子层,包括在所述阻挡层上制备像素定义层,在所述像素定义层对应所述色组单元处开设像素开孔,在所述像素开孔内通过喷墨打印制备量子点单元,每一量子点单元均对应一色阻单元;在所述量子层上制备第一阻隔层,所述第一阻水结构覆盖所述量子层和所述色阻层。

进一步的,所述阵列基板的制备方法包括:提供第二基板;在所述第二基板上制备第二衬底;在所述第二衬底上制备薄膜晶体管结构层;在所述薄膜晶体管结构层通过喷墨打印方式制备OLED层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911154616.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top