[发明专利]一种基因芯片载片制作方法、基因芯片有效
| 申请号: | 201911140942.9 | 申请日: | 2019-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN110846215B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
| 发明(设计)人: | 柳建军;叶国梁 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | C12M1/34 | 分类号: | C12M1/34;C12M1/00;B81B1/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 温可睿 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基因芯片 制作方法 | ||
1.一种基因芯片载片制作方法,其特征在于,包括:
提供载片;
将所述载片划分为像素区域和用于隔离像素区域的隔离区,所述像素区域为后续表面形成官能团,且与探针进行固定连接的区域,所述隔离区无需形成官能团;
在所述载片上形成掩膜板,所述掩膜板暴露部分载片,包括:在所述载片的表面覆盖整层光刻胶层,然后通过曝光、显影得到仅覆盖所述隔离区的光刻胶掩膜板,而暴露出所述像素区域;
对暴露的部分载片进行等离子体刻蚀处理,在所述载片表面形成悬挂键;
沉积目标物质,使得所述目标物质与所述悬挂键结合,并形成与所述目标物质对应的官能团。
2.根据权利要求1所述的基因芯片载片制作方法,其特征在于,所述等离子体处理时的条件包括:
电源功率范围为300W~1200W,包括端点值;
压力范围:600mt~1500mt,包括端点值;
温度:25℃~300℃,包括端点值;
气体流量:氧气气体流量范围为3000sccm~5000sccm,包括端点值;氮气气体流量范围300sccm~1200sccm,包括端点值;氮气作为催化剂,催化对氧气的分解。
3.根据权利要求1所述的基因芯片载片制作方法,其特征在于,所述提供载片包括:
提供基底;
在所述基底上形成介质层。
4.根据权利要求3所述的基因芯片载片制作方法,其特征在于,所述提供载片还包括:
采用混有二氧化碳的水对所述介质层表面进行清洗。
5.根据权利要求1所述的基因芯片载片制作方法,其特征在于,
所述目标物质为氨基化物质,所述对应的官能团为氨基;
或所述目标物质为羟基化物质,所述对应的官能团为羟基;
或所述目标物质为羧基化物质,所述对应的官能团为羧基。
6.一种基因芯片,其特征在于,包括:
基因芯片载片和固定在所述基因芯片载片上的多个探针;
所述多个探针与所述基因芯片载片表面的官能团连接;
所述基因芯片载片采用权利要求1-5任意一项所述的基因芯片载片制作方法制作形成。
7.根据权利要求6所述的基因芯片,其特征在于,所述载片包括基底和位于所述基底表面的介质层。
8.根据权利要求7所述的基因芯片,其特征在于,所述基底的材质包括玻璃、硅、金、银、铁、锌、铜、壳聚糖、葡聚糖、聚乙烯醇、纤维素、尼龙、聚丙烯酰胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚乳酸或聚丙烯酸酯。
9.根据权利要求7所述的基因芯片,其特征在于,所述介质层包括氧化硅或氮化硅。
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