[发明专利]一种基因芯片载片制作方法、基因芯片有效

专利信息
申请号: 201911140942.9 申请日: 2019-11-20
公开(公告)号: CN110846215B 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 柳建军;叶国梁 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: C12M1/34 分类号: C12M1/34;C12M1/00;B81B1/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 温可睿
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 基因芯片 制作方法
【权利要求书】:

1.一种基因芯片载片制作方法,其特征在于,包括:

提供载片;

将所述载片划分为像素区域和用于隔离像素区域的隔离区,所述像素区域为后续表面形成官能团,且与探针进行固定连接的区域,所述隔离区无需形成官能团;

在所述载片上形成掩膜板,所述掩膜板暴露部分载片,包括:在所述载片的表面覆盖整层光刻胶层,然后通过曝光、显影得到仅覆盖所述隔离区的光刻胶掩膜板,而暴露出所述像素区域;

对暴露的部分载片进行等离子体刻蚀处理,在所述载片表面形成悬挂键;

沉积目标物质,使得所述目标物质与所述悬挂键结合,并形成与所述目标物质对应的官能团。

2.根据权利要求1所述的基因芯片载片制作方法,其特征在于,所述等离子体处理时的条件包括:

电源功率范围为300W~1200W,包括端点值;

压力范围:600mt~1500mt,包括端点值;

温度:25℃~300℃,包括端点值;

气体流量:氧气气体流量范围为3000sccm~5000sccm,包括端点值;氮气气体流量范围300sccm~1200sccm,包括端点值;氮气作为催化剂,催化对氧气的分解。

3.根据权利要求1所述的基因芯片载片制作方法,其特征在于,所述提供载片包括:

提供基底;

在所述基底上形成介质层。

4.根据权利要求3所述的基因芯片载片制作方法,其特征在于,所述提供载片还包括:

采用混有二氧化碳的水对所述介质层表面进行清洗。

5.根据权利要求1所述的基因芯片载片制作方法,其特征在于,

所述目标物质为氨基化物质,所述对应的官能团为氨基;

或所述目标物质为羟基化物质,所述对应的官能团为羟基;

或所述目标物质为羧基化物质,所述对应的官能团为羧基。

6.一种基因芯片,其特征在于,包括:

基因芯片载片和固定在所述基因芯片载片上的多个探针;

所述多个探针与所述基因芯片载片表面的官能团连接;

所述基因芯片载片采用权利要求1-5任意一项所述的基因芯片载片制作方法制作形成。

7.根据权利要求6所述的基因芯片,其特征在于,所述载片包括基底和位于所述基底表面的介质层。

8.根据权利要求7所述的基因芯片,其特征在于,所述基底的材质包括玻璃、硅、金、银、铁、锌、铜、壳聚糖、葡聚糖、聚乙烯醇、纤维素、尼龙、聚丙烯酰胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚乳酸或聚丙烯酸酯。

9.根据权利要求7所述的基因芯片,其特征在于,所述介质层包括氧化硅或氮化硅。

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