[发明专利]存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

单元行，设置于字线的多个层级中，所述单元行包含柱，所述柱包括第一竖直导电线、第二竖直导电线以及竖直半导体主体，所述竖直半导体主体设置于所述第一竖直导电线与所述第二竖直导电线之间且与所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线接触；

柱选择线，邻近于所述竖直半导体主体且通过栅极介电质与所述竖直半导体主体间隔开以形成柱选择开关，所述柱选择线设置在所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线下方；以及

底部选择线，设置在所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线下方且与所述柱选择线以及所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线绝缘，所述底部选择线电流接触所述柱的所述竖直半导体主体。

2.根据权利要求1所述的装置，包括：

导电带叠层，设置为邻近所述柱选择线上方的所述竖直半导体主体；以及

电荷存储结构，位于所述导电带叠层中的导电带侧壁上，

其中所述单元行中的单元设置于所述导电带与所述柱的交叉点处，所述单元具有所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线中的源极端子及漏极端子以及所述竖直半导体主体中的通道。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述底部选择线在第一方向上延伸，且所述柱选择线在与所述第一方向正交的第二方向上延伸。

4.根据权利要求1所述的装置，包括：

第一水平导电线，上覆于所述单元行且耦接至所述柱的所述第一竖直导电线；以及

第二水平导电线，上覆于所述单元行且耦接至所述柱的所述第二竖直导电线，

其中所述第一水平导电线在第一方向上延伸，且所述第二水平导电线在与所述第一方向正交的第二方向上延伸。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一水平导电线及所述第二水平导电线分别为输入线及输出线。

6.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一水平导电线及所述第二水平导电线分别为输出线及输入线。

7.根据权利要求1所述的装置，包括：

偏压电路，操作性地耦接至所述底部选择线，以将所述偏压电压施加至所述竖直半导体主体以对所述单元行进行编程操作及擦除操作中的至少一者。

8.一种存储器装置，包括：

单元行的阵列，设置于字线的多个层级中，所述单元行中的每一者包含柱，所述柱包括第一竖直导电线、第二竖直导电线以及竖直半导体主体，所述竖直半导体主体设置于所述第一竖直导电线与所述第二竖直导电线之间且与所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线接触；

多个柱选择线，设置在所述单元行中的所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线下方，所述多个柱选择线中的每一者邻近于竖直半导体主体的列且通过栅极介电质与所述竖直半导体主体的所述列间隔开，以形成柱选择开关列；以及

多个底部选择线，设置在所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线下方且与所述多个柱选择线以及所述单元行中的所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线绝缘，所述多个底部选择线中的每一者电流接触所述竖直半导体主体的行。

9.根据权利要求8所述的装置，包括：

多个导电带叠层，设置为邻近所述多个柱选择线上方的所述单元行中的所述竖直半导体主体；以及

电荷存储结构，位于所述多个导电带叠层中的导电带侧壁上，

其中所述单元行中的单元设置于所述导电带与所述柱的交叉点处，所述单元具有所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线中的源极端子及漏极端子以及所述竖直半导体主体中的通道。