[发明专利]一种加热块单元及加热装置在审
| 申请号: | 201911136223.X | 申请日: | 2019-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN110931420A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
| 发明(设计)人: | 王凯 | 申请(专利权)人: | 苏州日月新半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/603 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
| 地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 加热 单元 装置 | ||
本发明涉及一种加热块单元及加热装置。在各实施例中,涉及一种加热块单元,其包含凹槽,所述凹槽包含底部和侧壁,所述凹槽包含:焊盘安置区域;以及分置于所述焊盘安置区域两侧的两个拉杆安置区域;其特征在于,所述加热块单元进一步包含一或多个保险丝引线安置区域,其跨越所述底部和所述侧壁设置。
技术领域
本发明大体涉及集成电路封装技术,尤其涉及串联保险丝引线的加热器块设计。
背景技术
在半导体产业内,通常需要对已制造完成的集成电路芯片(Die)(或称为裸片)进行封装以形成集成电路芯片的最终产品,同时起到保护芯片、增强电热性能、便于整机装配等重要作用。
现有SO封装工艺可使用串联的保险丝引线将引脚引线与芯片焊盘(die pad)彼此相连以实现芯片接地,且芯片焊盘下沉至低于引脚引线平面以提升后续工艺稳定性的封装产品。通常,该封装工艺需要在加热块上进行开槽。
然而,由于机台压料不可避免地存在一定程度的偏移,将不利地导致保险丝引线与加热块发生接触而产生翘曲,从而对产品一、二焊点的作业性产生负面影响,进而损害产品品质。
因而,本领域迫切需要提供改进方案以解决上述问题。
发明内容
鉴于此,本发明提供一种加热块单元,其包含凹槽,所述凹槽包含底部和侧壁,所述凹槽包含:焊盘安置区域;以及分置于所述焊盘安置区域两侧的两个拉杆安置区域;其特征在于,所述加热块单元进一步包含一或多个保险丝引线安置区域,其跨越所述底部和所述侧壁设置。
本发明的一实施例提供一种加热块,其进一步包含真空孔,所述真空孔位于所述焊盘安置区域内。
本发明的一实施例提供一种加热块,其中所述两个拉杆安置区域彼此相对安置。
本发明的一实施例提供一种加热块,其中所述多个保险丝引线安置区域位于所述保险丝引线安置区域异侧。
本发明的一实施例提供一种加热块,其中所述多个保险丝引线安置区域位于所述保险丝引线安置区域同侧。
本发明的一实施例提供一种加热块,其中所述多个保险丝引线安置区域彼此相邻或不相邻。
本发明的一实施例提供一种加热装置,其包含凹槽,所述凹槽包含底部和侧壁,所述凹槽包含:焊盘安置区域;以及分置于所述焊盘安置区域两侧的两个拉杆安置区域;其特征在于,所述加热装置进一步包含一或多个保险丝引线安置区域,所述一或多个保险丝引线安置区域在第一方向上的尺度大于所述第一方向上的最大允许物件偏移距离,且在第二方向上的尺度大于所述第二方向上的最大允许物件偏移距离。
本发明的一实施例提供一种加热装置,其中所述多个保险丝引线安置区域位于所述保险丝引线安置区域异侧。
本发明的一实施例提供一种加热装置,其中所述多个保险丝引线安置区域位于所述保险丝引线安置区域同侧。
本发明的一实施例提供一种加热装置,其中所述多个保险丝引线安置区域彼此相邻或不相邻。
附图说明
图1显示料条单元的俯视示意图。
图2显示图1中保险丝引线10将引脚引线2与芯片焊盘9的局部放大侧视图。
图3显示不存在机台压料偏移的正常作业状态时的作业剖视图。
图4显示存在机台压料偏移发生作业状态异常时的作业剖视图。
图5显示现有技术所采用的加热块单元俯视图。
图6显示本发明所提出的加热块单元俯视图。
图7显示根据设计规则实施的料条单元俯视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州日月新半导体有限公司,未经苏州日月新半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911136223.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种比例流量阀
- 下一篇:一种用于门禁系统的具有遮光功能的指纹识别装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





