[发明专利]一种加热块单元及加热装置在审
| 申请号: | 201911136223.X | 申请日: | 2019-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN110931420A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
| 发明(设计)人: | 王凯 | 申请(专利权)人: | 苏州日月新半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/603 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
| 地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 加热 单元 装置 | ||
1.一种加热块单元,其包含凹槽,所述凹槽包含底部和侧壁,所述凹槽包含:
焊盘安置区域;以及
分置于所述焊盘安置区域两侧的两个拉杆安置区域;
其特征在于,所述加热块单元进一步包含一或多个保险丝引线安置区域,其跨越所述底部和所述侧壁设置。
2.根据权利要求1所述的加热块,其进一步包含真空孔,所述真空孔位于所述焊盘安置区域内。
3.根据权利要求1所述的加热块,其中所述两个拉杆安置区域彼此相对安置。
4.根据权利要求1所述的加热块,其中所述多个保险丝引线安置区域位于所述保险丝引线安置区域异侧。
5.根据权利要求1所述的加热块,其中所述多个保险丝引线安置区域位于所述保险丝引线安置区域同侧。
6.根据权利要求5所述的加热块,其中所述多个保险丝引线安置区域彼此相邻或不相邻。
7.根据权利要求1所述的加热块,其中所述一或多个保险丝引线安置区域的竖直方向深度大于等于所述焊盘安置区域的开槽深度。
8.根据权利要求7所述的加热块,其中所述一或多个保险丝引线安置区域的竖直方向深度比所述焊盘安置区域的开槽深度大10μm。
9.一种加热装置,其包含凹槽,所述凹槽包含底部和侧壁,所述凹槽包含:
焊盘安置区域;以及
分置于所述焊盘安置区域两侧的两个拉杆安置区域;
其特征在于,所述加热装置进一步包含一或多个保险丝引线安置区域,所述一或多个保险丝引线安置区域在第一方向上的尺度大于所述第一方向上的最大允许物件偏移距离,且在第二方向上的尺度大于所述第二方向上的最大允许物件偏移距离。
10.根据权利要求9所述的加热装置,其中所述多个保险丝引线安置区域位于所述保险丝引线安置区域异侧。
11.根据权利要求9所述的加热装置,其中所述多个保险丝引线安置区域位于所述保险丝引线安置区域同侧。
12.根据权利要求11所述的加热装置,其中所述多个保险丝引线安置区域彼此相邻或不相邻。
13.根据权利要求9所述的加热装置,其中所述一或多个保险丝引线安置区域的竖直方向深度大于等于所述焊盘安置区域的开槽深度。
14.根据权利要求13所述的加热装置,其中所述一或多个保险丝引线安置区域的竖直方向深度比所述焊盘安置区域的开槽深度大10μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





