[发明专利]半导体芯片的封装结构及其制作方法与射频模组

说明书

本发明公开了一种半导体芯片的封装结构，所述封装结构包括半导体芯片和与半导体芯片配合的芯片载板；所述半导体芯片表面形成有密封圈，所述密封圈与所述芯片载板及所述半导体芯片配合形成密封空腔，所述半导体芯片的功能区被所述密封圈环绕且位于所述密封空腔内。本发明还公开了一种射频模组。本发明提供的半导体芯片的封装方法简单易操作，与现有封装工艺兼容，利于规模化实施，而且形成的半导体芯片的封装结构尺寸更小、成本更低，能更好的满足实际应用需求。

技术领域

本发明涉及一种半导体芯片的封装结构，特别是涉及一种声滤波器芯片的封装结构、其制作方法及射频模组，属于芯片封装领域。

背景技术

声滤波器市场的迅猛发展带动了相关封装行业的迅速发展。目前CSP(Chip ScalePackage)封装技术已经广泛应用于声滤波器芯片的封装。传统CSP声滤波器由声滤波器管芯、封装树脂和芯片载板构成。典型的声滤波器芯片、芯片载板厚度分别为0.2mm、0.15mm，加上封装树脂层厚度，最终产品厚度至少为0.5mm，在声滤波器小型化方面已经走到极限。然而在电子产品高密度、高性能、高集成度和低成本的发展趋势下，对声滤波器的尺寸和厚度提出了更高的要求，同时也对新型声滤波器的集成度和兼容性提出了更高的要求。为此，众多研究人员进行了深入研究并提出了多种解决方案，但其均存在一些不足。

例如，图1示出了现有的一种声滤波器WLP(晶圆级封装，Wafer Level Package)封装结构，其主要是在衬底101上制备芯片的功能区102和电极103后，采用双层有机物材料结构104、105得到芯片功能区所需的空腔结构106，然后制作电极引线107和封装所需的焊锡球108。封装结构整体制作工艺复杂，成本较高。

又例如，图2示出了现有的一种声滤波器CSP封装结构，由具有叉指结构204和电极205的声滤波器芯片201、芯片载板202和封装树脂203构成。声滤波器芯片电极205和芯片载板基板电极207之间用金属凸点206相连。该封装工艺限制了芯片整体的封装厚度和尺寸。

发明内容

本发明主要目的在于提供半导体芯片的封装结构及其制作方法，从而克服现有技术的不足。

本发明的另一目的在于提供一种射频模组。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种半导体芯片的封装结构，包括半导体芯片和与半导体芯片配合的芯片载板；所述半导体芯片表面形成有密封圈，所述密封圈与所述芯片载板及所述半导体芯片配合形成密封空腔，所述半导体芯片的功能区被所述密封圈环绕且位于所述密封空腔内。

在一些实施方式中，所述半导体芯片的电极层上形成有导电凸点，所述半导体芯片经所述导电凸点与芯片载板的电极电性焊接结合，芯片载板内部设有布线层。

在一些实施方式中，所述密封圈由光刻材料形成。

本发明实施例还提供了一种半导体芯片的封装方法，其包括：

采用光刻材料在半导体芯片表面形成密封圈，并使所述密封圈环绕所述半导体芯片的功能区设置；

将所述半导体芯片与相配合的芯片载板结合，并使所述半导体芯片与所述芯片载板及所述密封圈配合形成密封空腔，且使所述半导体芯片的功能区被封装于所述密封空腔内。

在一些实施方式中，所述封装方法具体包括：在所述半导体芯片表面形成光刻材料层，之后进行曝光、显影，从而在所述半导体芯片的功能区周围形成所述密封圈。

在一些实施方式中，所述封装方法具体包括：在所述半导体芯片的电极层上形成金属凸点，并将所述金属凸点与芯片载板的电极电性焊接，芯片载板内部设有布线层。

在本发明实施例的前述实施方式中，所述半导体芯片可以为声滤波器芯片。