[发明专利]半导体芯片的封装结构及其制作方法与射频模组

权利要求书

1.一种半导体芯片的封装结构，包括半导体芯片和与半导体芯片配合的芯片载板，其特征在于：所述半导体芯片表面形成有密封圈，所述密封圈与所述芯片载板及所述半导体芯片配合形成密封空腔，所述半导体芯片的功能区被所述密封圈环绕且位于所述密封空腔内。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于：所述半导体芯片的电极层上形成有导电凸点，所述半导体芯片经所述导电凸点与芯片载板的电极电性焊接结合，芯片载板内部设有布线层。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于：所述密封圈的厚度为1μm至50μm；和/或，所述密封圈由光刻材料形成；和/或，所述半导体芯片包括衬底以及形成在衬底上的叉指结构和电极层，所述叉指结构与电极层电连接且均分布在功能区；和/或，所述半导体芯片为声滤波器芯片。

4.一种半导体芯片的封装方法，其特征在于包括：

采用光刻材料在半导体芯片表面形成密封圈，并使所述密封圈环绕所述半导体芯片的功能区设置；

将所述半导体芯片与相配合的芯片载板结合，并使所述半导体芯片与所述芯片载板及所述密封圈配合形成密封空腔，且使所述半导体芯片的功能区被封装于所述密封空腔内。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于具体包括：在所述半导体芯片表面形成光刻材料层，之后进行曝光、显影，从而在所述半导体芯片的功能区周围形成所述密封圈。

6.根据权利要求4或5所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于：所述密封圈的厚度为1μm至50μm；和/或，所述半导体芯片包括衬底以及形成在衬底上的叉指结构和电极层，所述叉指结构与电极层电连接且均分布在功能区；和/或，所述半导体芯片为声滤波器芯片。

7.根据权利要求4所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于还包括：在所述半导体芯片的电极层上形成金属凸点，并将所述金属凸点与芯片载板的电极电性焊接，芯片载板内部设有布线层。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于具体包括：采用超声倒装焊接工艺将所述金属凸点与芯片载板的电极电性焊接。

9.一种射频模组，包括声滤波器芯片和芯片载板，其特征在于：所述声滤波器芯片与芯片载板配合形成权利要求1-3中任一项所述的半导体芯片的封装结构。

10.根据权利要求9所述的射频模组，其特征在于：所述芯片载板上还集成设置有至少一功能芯片和/或被动元器件，所述功能芯片为不同于所述声滤波器芯片的半导体芯片。

11.根据权利要求10所述的射频模组，其特征在于：所述功能芯片和/或被动元器件与所述半导体芯片的封装结构彼此独立设置；和/或，所述功能芯片和/或被动元器件与所述半导体芯片的封装结构均被包埋于封装材料内。