[发明专利]一种用于冷原子干涉仪的磁场线圈开关装置有效
| 申请号: | 201911131908.5 | 申请日: | 2019-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN110926446B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
| 发明(设计)人: | 刘晓妍;路想想;裴闯;来琦;陈玮婷 | 申请(专利权)人: | 中国船舶重工集团公司第七0七研究所 |
| 主分类号: | G01C19/58 | 分类号: | G01C19/58 |
| 代理公司: | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人: | 刘英梅 |
| 地址: | 300131 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 原子 干涉仪 磁场 线圈 开关 装置 | ||
1.一种用于冷原子干涉仪的磁场线圈开关装置,包括依次电连接的微控制器驱动电路、MOSFET功率开关电路、漏电流保护电路和线圈保护电路;ARM微控制器电平控制信号连接微控制器驱动电路的输入端,上述线圈保护电路的两端分别与磁场线圈两端电连接;其特征在于,
所述微控制器驱动电路由接线端子、限流电阻和NMOS开关管构成,其中:接线端子的输入端引脚与ARM高电平控制信号相连,接线端子的输出端引脚与NMOS开关管栅极G相连;NMOS开关管源极S与地相连,漏极D与限流电阻R1输入端相连,所述限流电阻R1输出端与MOSFET功率开关电路相连;
所述MOSFET功率开关电路由低电平控制的PMOS场效应管和限流电阻R2构成,其中:PMOS开关管栅极G与限流电阻R1输出端相连, PMOS开关管源极S与+12V直流电压和限流电阻R2第一端相连,限流电阻R2第二端与PMOS场效应管栅极G相连,PMOS开关管漏极D与漏电流保护电路相连;
所述漏电流保护电路由整流二极管D1、泄放电阻R3构成,其中:整流二极管D1的正端与PMOS开关管漏极D相连,整流二极管D1的负端与磁场线圈接线端P1相连,泄放电阻R3一端与PMOS开关管漏极D相连,泄放电阻R3另一端与地相连;
所述线圈保护电路由钳位二极管V1、整流二极管D2、磁场线圈接线端P1和磁场线圈接线端P2构成,其中:钳位二极管V1正端与磁场线圈接线端P1相连,钳位二极管V1负端与整流二极管D2负端相连;整流二极管D2正端与磁场线圈接线端P2相连,磁场线圈接线端P2与地相连。
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