[发明专利]一种用于冷原子干涉仪的磁场线圈开关装置有效

专利信息
申请号: 201911131908.5 申请日: 2019-11-19
公开(公告)号: CN110926446B 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 刘晓妍;路想想;裴闯;来琦;陈玮婷 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七0七研究所
主分类号: G01C19/58 分类号: G01C19/58
代理公司: 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 代理人: 刘英梅
地址: 300131 天*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 原子 干涉仪 磁场 线圈 开关 装置
【权利要求书】:

1.一种用于冷原子干涉仪的磁场线圈开关装置,包括依次电连接的微控制器驱动电路、MOSFET功率开关电路、漏电流保护电路和线圈保护电路;ARM微控制器电平控制信号连接微控制器驱动电路的输入端,上述线圈保护电路的两端分别与磁场线圈两端电连接;其特征在于,

所述微控制器驱动电路由接线端子、限流电阻和NMOS开关管构成,其中:接线端子的输入端引脚与ARM高电平控制信号相连,接线端子的输出端引脚与NMOS开关管栅极G相连;NMOS开关管源极S与地相连,漏极D与限流电阻R1输入端相连,所述限流电阻R1输出端与MOSFET功率开关电路相连;

所述MOSFET功率开关电路由低电平控制的PMOS场效应管和限流电阻R2构成,其中:PMOS开关管栅极G与限流电阻R1输出端相连, PMOS开关管源极S与+12V直流电压和限流电阻R2第一端相连,限流电阻R2第二端与PMOS场效应管栅极G相连,PMOS开关管漏极D与漏电流保护电路相连;

所述漏电流保护电路由整流二极管D1、泄放电阻R3构成,其中:整流二极管D1的正端与PMOS开关管漏极D相连,整流二极管D1的负端与磁场线圈接线端P1相连,泄放电阻R3一端与PMOS开关管漏极D相连,泄放电阻R3另一端与地相连;

所述线圈保护电路由钳位二极管V1、整流二极管D2、磁场线圈接线端P1和磁场线圈接线端P2构成,其中:钳位二极管V1正端与磁场线圈接线端P1相连,钳位二极管V1负端与整流二极管D2负端相连;整流二极管D2正端与磁场线圈接线端P2相连,磁场线圈接线端P2与地相连。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国船舶重工集团公司第七0七研究所,未经中国船舶重工集团公司第七0七研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911131908.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top