[发明专利]一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件在审
| 申请号： | 201911127582.9 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110828555A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 胡盛东;安俊杰 | 申请（专利权）人： | 重庆大学;安俊杰 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对称 异质结 碳化硅 槽型场氧 功率 mos 器件 | ||
1.一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，其特征在于，包括依次线性布置的漏极金属、N型衬底层、N型漂移区、N型载流子扩散区、P型沟道层、源极金属；还包括与源极金属连通的槽型栅电极、槽型源电极以及N型源区；所述槽型源电极包括源极P型多晶硅；所述槽型栅电极和槽型源电极上设有P保护层；所述源极P型多晶硅与N型载流子扩散区采用异质结二极管结构。
2.如权利要求1中所述的非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，其特征在于，所述槽型栅电极包括栅氧层与栅极多晶硅。
3.如权利要求2中所述的非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，其特征在于，所述栅极多晶硅为N型多晶硅或者栅极P型多晶硅。
4.如权利要求3中所述的非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，其特征在于，所述栅极P型多晶硅和/或源极P型多晶硅的材料为镍、钛、金或者银中的一种金属或多种金属的组合。
5.如权利要求1中所述的非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，其特征在于，所述槽型栅电极与所述源极金属、N型源区、P型沟道层相接触。
6.如权利要求5中所述的非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，其特征在于，所述槽型栅电极与所述源极金属的下部、N型源区的侧面、P型沟道层的侧面接触。
7.如权利要求1中所述的非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，其特征在于，所述源极P型多晶硅的上部与所述源极金属的下部接触，所述源极P型多晶硅的侧面与N型载流子扩散区的侧面接触，所述源极P型多晶硅的下部与源极一侧P保护层的上部接触。
8.如权利要求1中所述的非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，其特征在于，所述N型源区的侧面与所述槽型栅电极的侧面接触，N型源区的底部与所述P型沟道层接触，所述N型源区的上部与所述源极金属的下部接触。
9.如权利要求1中所述的非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，其特征在于，所述非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件的材料为宽禁带半导体材料。
10.如权利要求9中所述的非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，其特征在于，所述非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件的材料为GaN。
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