[发明专利]一种多核单分子磁体有效

专利信息
申请号: 201911123441.X 申请日: 2019-11-16
公开(公告)号: CN110729090B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 仝佳平;庄佳佳;邵锋;罗刚;陈明光 申请(专利权)人: 中国人民解放军陆军勤务学院
主分类号: H01F1/42 分类号: H01F1/42;H01F41/02;C07F19/00
代理公司: 北京丰浩知识产权代理事务所(普通合伙) 11781 代理人: 李学康
地址: 401311 重庆市沙*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 多核 分子 磁体
【说明书】:

发明提供一种多核单分子磁体,所述单分子磁体为下述配合物或其溶剂合物:Cosubgt;5/subgt;Eusubgt;4/subgt;(OCHsubgt;3/subgt;)subgt;8/subgt;(OAc)subgt;12/subgt;(NOsubgt;3/subgt;)subgt;2/subgt;(CHsubgt;3/subgt;OH)subgt;6/subgt;,其中Ac表示乙酰基。本发明提供的多核单子磁体可用于制备信息存储材料,尤其是磁存储材料。

技术领域

本发明涉及一种多核单分子磁体。

背景技术

单分子磁体是一种特殊的有机金属化合物。在特定的低温下,它可以像微小磁铁一样,在“0”(比如分子取向顺磁场方向)和“1”(分子取向逆磁场方向)的两个状态之间转换,可以用来存储信息。与常规磁体相比,单分子磁体显然小得多,这就意味着通过这种磁体制成的存储设备具有更强的数据存储能力。

发明内容

本发明提供一种多核单分子磁体,所述单分子磁体为下述配合物或其溶剂合物:

Co5Eu4(OCH3)8(OAc)12(NO3)2(CH3OH)6,其中Ac表示乙酰基。

进一步地,所述单分子磁体为[Co5Eu4(OCH3)8(OAc)12(NO3)2(CH3OH)6]·4CH3OH,其中Ac表示乙酰基。

进一步地,所述单分子磁体为Co5Eu4(OCH3)8(OAc)12(NO3)2(CH3OH)6]·8H2O,其中Ac表示乙酰基。

进一步地,所述单分子磁体的结构如图1所示。

本发明还提供了一种前述的多核单分子磁体Co5Eu4(OCH3)8(OAc)12(NO3)2(CH3OH)6]·8H2O的制备方法,将多核单分子磁体Co5Eu4(OCH3)8(OAc)12(NO3)2(CH3OH)6]·4CH3OH置于空气中,稳定后得到。

优选地,前述Co(OAc)2·4H2O与Eu(NO3)3·6H2O的摩尔比为1.5∶1。

优选地,前述反应的时间为7天。

本发明还提供了前述多核单子磁体在制备信息存储材料中的应用。

进一步地,前述信息存储材料为磁存储材料。

本发明提供了全新结构的单分子磁体,可用于数据存储材料的制备,尤其是磁存储材料的制备。

附图说明

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