[发明专利]半导体封装结构及用于形成半导体封装结构的方法

说明书

本发明提供了一种半导体封装结构，其包括第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，第二半导体晶粒与第一半导体晶粒邻近。第一半导体晶粒包括：第一边缘、与第一边缘相对的第二边缘以及从第二边缘露出的第一金属层。第二半导体晶粒包括：第三边缘、与第三边缘相对的第四边缘以及从第三边缘露出的第二金属层，其中，第三边缘与第一半导体晶粒的第二边缘邻近。第一半导体晶粒的第一金属层电连接到第二半导体晶粒的第二金属层。

技术领域

本申请涉及一种半导体封装，以及更特别地，涉及一种包括晶粒间连接器(inter-die connector)的半导体封装。

背景技术

半导体封装工艺是制造电子产品中的重要步骤。半导体封装不仅保护其中的半导体晶粒(die)免受外部环境污染物的侵害，而且提供半导体封装内部和外部的电子组件之间的电连接路径。例如，半导体封装包含可用于形成导电路径的导线(wire)。

通过不断减小最小特征尺寸，半导体工业持续提高各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度，这允许将更多的部件(component)集成到给定区域中。在某些应用中，这些较小的电子部件还使用占用较小面积或较小高度的较小封装。当半导体封装变得更致密时，导电路径之间产生的串扰(crosstalk)相应地增加。

尽管现有的半导体封装结构通常已经足以满足其预期目的，但是它们并不是在所有方面都令人满意。目前，特别需要一种改进方案来减少电子部件之间的串扰。

发明内容

在本发明一实施例中，提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括第一半导体晶粒和邻近第一半导体晶粒的第二半导体晶粒。第一半导体晶粒包括第一边缘、与第一边缘相对的第二边缘以及从第二边缘暴露/露出(exposed)的第一金属层。第二半导体晶粒包括：与第一半导体晶粒的第二边缘邻近的第三边缘、与第三边缘相对的第四边缘以及从第三边缘暴露/露出的第二金属层。第一半导体晶粒的第一金属层电连接至第二半导体晶粒的第二金属层。

在本发明一实施例中，提供了一种用于形成半导体封装结构的方法，其中，用于形成半导体封装结构的方法包括：在载体基板上提供/设置(provide)第一半导体晶粒，其中，第一半导体晶粒包括第一边缘、与第一边缘相对的第二边缘以及从第二边缘暴露/露出的第一金属层，其中，第一金属层位于/被设置(disposed)在第一半导体晶粒的互连层中；在载体基板上提供/设置邻近第一半导体晶粒的第二半导体晶粒，其中，第二半导体晶粒包括：与第一半导体晶粒的第二边缘相邻的第三边缘、与第三边缘相对的第四边缘，以及从第三边缘暴露/露出的第二金属层，其中，第二金属层位于/被设置在第二半导体晶粒的互连层中；以及，在第一半导体晶粒的第一金属层和第二半导体晶粒的第二金属层之间形成电连接。

本发明内容并非旨在限定本发明。本领域技术人员在阅读附图所示优选实施例的下述详细描述之后，可以毫无疑义地理解本发明的这些目的及其它目的。详细的描述将参考附图在下面的实施例中给出。

附图说明

通过阅读后续的详细描述以及参考附图所给的示例，可以更全面地理解本发明。

图1至图8是根据本发明一些实施例示出的在制造半导体封装结构的过程中的各个步骤的截面示意图。

图9至图15是根据本发明另一些实施例示出的在制造半导体封装结构的过程中的各个步骤的截面示意图。

图16至图22是根据本发明又一些实施例示出的在制造半导体封装结构的过程中的各个步骤的截面示意图。

图23是根据本发明一些实施例示出的示例性半导体封装结构的透视图。

图24是根据本发明一些实施例示出的示例性半导体封装结构的透视图。