[发明专利]半导体装置制造方法在审
| 申请号： | 201911088640.1 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111162165A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘焕龙;真杰诺;童儒颖;朱健;李元仁;裘地·玛丽·艾维塔;沙希·帕特尔;维格纳许·桑达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 傅磊;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置制造方法，用于形成一自旋转移力矩式磁穿隧接面随机存取存储器单元，包括：
提供图案化的一基板；
形成一晶种层于该基板上；
形成RKKY耦合人工反铁磁的一被钉扎层结构的一AP2层于该晶种层上；
形成一RKKY耦合层于该AP2层上；
形成一AP1层的一第一部分于该RKKY耦合层上；
冷却包括该基板、该晶种层、该AP2层、该RKKY耦合层及该AP1层的该第一部分的一制造物；
形成该AP1层的一第二部分于冷却后的该AP1层的该第一部分上，从而完成该被钉扎层；
形成该自旋转移力矩式磁穿隧接面随机存取存储器单元的多个其余的元件于该被钉扎层上，该些其余的元件按顺序依次包括一穿隧能障层、一铁磁性自由层及一盖层。
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